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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K4N26323AE |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 128Mbit GDDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 128Mbit GDDR2 SDRAM的 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 19/52頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 826K |
| 代理商： | K4N26323AE |
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- 19 -
Rev. 1.7 (Jan. 2003)
128M GDDR2 SDRAM
K4N26323AE-GC
Seamless Burst Write Operation : AL = 1, CL = 7, WL = AL + 1 = 2
The seamless burst write operation is supported by enabling a write command every other clock.
This operation is allowed regardless of same or different banks as long as the banks are activated
DQ’s
CK, CK
0
2
1
3
7
8
9
10
11
WL = 2
DQS
CMD
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
WRITE A
Post CAS
WRITE B
Post CAS
DINA
0
DINA
1
DINA
2
DINA
3
DINB
0
DINB
1
DINB
2
DINB
3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4N26323AE-GC20 | 128Mbit GDDR2 SDRAM |
| K4N26323AE-GC22 | 128Mbit GDDR2 SDRAM |
| K4N26323AE-GC25 | 128Mbit GDDR2 SDRAM |
| K4N56163QF | 256Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N56163QF-GC | 256Mbit gDDR2 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4N26323AE-GC20 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit GDDR2 SDRAM |
| K4N26323AE-GC22 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit GDDR2 SDRAM |
| K4N26323AE-GC25 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit GDDR2 SDRAM |
| K4N27 | 制造商:KODENSHI 制造商全稱:KODENSHI KOREA CORP. 功能描述:Photocoupler(These Photocouplers consist of a Gallium Arsenide Infrared Emitting) |
| K4N28 | 制造商:KODENSHI 制造商全稱:KODENSHI KOREA CORP. 功能描述:Photocoupler(These Photocouplers consist of a Gallium Arsenide Infrared Emitting) |
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