參數(shù)資料
型號： IDT71T75902S75BGI8
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： SRAM
英文描述： 1M X 18 ZBT SRAM, 7.5 ns, PBGA119
封裝： 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119
文件頁數(shù)： 26/26頁
文件大小： 644K
代理商： IDT71T75902S75BGI8
6.42
IDT71T75702, IDT71T75902, 512K x 36, 1M x 18, 2.5V Synchronous ZBT SRAMs with
2.5V I/O, Burst Counter and Flow-Through Outputs
Commercial and Industrial Temperature Ranges
9
Functional Timing Diagram(1)
Linear Burst Sequence Table (LBO=VSS)
NOTE:
1. Upon completion of the Burst sequence the counter wraps around to its initial state and continues counting.
NOTES:
1. This assumes
CEN, CE1, CE2 and CE2 are all true.
2. All Address, Control and Data_In are only required to meet set-up and hold time with respect to the rising edge of clock. Data_Out is valid after a clock-to-data
delay from the rising edge of clock.
Sequence 1
Sequence 2
Sequence 3
Sequence 4
A1
A0
A1
A0
A1
A0
A1
A0
First Address
0
1
0
1
Second Address
0
1
0
1
0
Third Address
1
0
1
0
1
Fourth Address
(1)
11
000
11
0
5319 tbl 11
n+29
A29
C29
D/Q28
ADDRESS
(A0 -A18)
CONTROL
(R/
W, ADV/LD, BWx)
DATA
I/O [0:31], I/O P[1:4]
CYCLE
CLOCK
n+30
A30
C30
D/Q29
n+31
A31
C31
D/Q30
n+32
A32
C32
D/Q31
n+33
A33
C33
D/Q32
n+34
A34
C34
D/Q33
n+35
A35
C35
D/Q34
n+36
A36
C36
D/Q35
n+37
A37
C37
D/Q36
5319 drw 03
(2)
,
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT71V2558XS166BQ 256K X 18 ZBT SRAM, 3.5 ns, PBGA165
IDT71V3576S133BGI 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
IDT71V3576S133BQ 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
IDT71V3576S133BQI 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
IDT71V3576S133PFI 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
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參數(shù)描述
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