參數(shù)資料
型號: IDT71T75902S75BGI8
廠商: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類: SRAM
英文描述: 1M X 18 ZBT SRAM, 7.5 ns, PBGA119
封裝: 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119
文件頁數(shù): 21/26頁
文件大?。?/td> 644K
代理商: IDT71T75902S75BGI8
6.42
4
IDT71T75702, IDT71T75902, 512K x 36, 1M x 18, 2.5V Synchronous ZBT SRAMs with
2.5V I/O, Burst Counter and Flow-Through Outputs
Commercial and Industrial Temperature Ranges
Functional Block Diagram 1M x 18
Recommended DC Operating
Conditions
NOTE:
1. VIL (min.) = –0.8V for pulse width less than tCYC/2, once per cycle.
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
VDD
Core Supply Voltage
2.375
2.5
2.625
V
VDDQ
I/O Supply Voltage
2.375
2.5
2.625
V
VSS
Ground
0
V
VIH
Input High Voltage — Inputs
1.7
____
VDD +0.3
V
VIH
Input High Voltage — I/O
1.7
____
VDDQ +0.3
(2)
V
VIL
Input Low Voltage
-0.3
(1)
____
0.7
V
5319 tbl 03
Clk
DQ
Address A [0:19]
Control Logic
Address
Control
DI
DO
In
pu
t
R
eg
is
te
r
5319 drw 01a
Clock
Data I/O [0:15], I/O P[1:2]
Mux
Sel
Gate
OE
CE1,CE2 CE2
R/
W
CEN
ADV/
LD
BWx
LBO
1M x 18 BIT
MEMORY ARRAY
,
JTAG
TMS
TDI
TCK
TDO
TRST
(optional)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT71V2558XS166BQ 256K X 18 ZBT SRAM, 3.5 ns, PBGA165
IDT71V3576S133BGI 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
IDT71V3576S133BQ 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
IDT71V3576S133BQI 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
IDT71V3576S133PFI 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
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參數(shù)描述
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