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參數(shù)資料
| 型號： | IDT71T75902S75BGI8 |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 1M X 18 ZBT SRAM, 7.5 ns, PBGA119 |
| 封裝： | 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119 |
| 文件頁數(shù)： | 24/26頁 |
| 文件大?。?/td> | 644K |
| 代理商： | IDT71T75902S75BGI8 |
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6.42
IDT71T75702, IDT71T75902, 512K x 36, 1M x 18, 2.5V Synchronous ZBT SRAMs with
2.5V I/O, Burst Counter and Flow-Through Outputs
Commercial and Industrial Temperature Ranges
7
Top View
Pin Configuration 512K x 36, 119 BGA(1,2,3,4)
Pin Configurations 1M x 18, 119 BGA(1,2,3,4)
NOTES:
1. Pins R5 and J5 do not have to be connected directly to VSS as long as the input voltage is < VIL.
2. Pin J3 does not have to be connected directly to VDD as long as the input voltage is > VIH.
3. U2, U3, U4 and U6 will be pulled internally to VDD if not actively driven. To disable the TAP controller without interfering with normal operation, several
settings are possible. U2, U3, U4 and U6 could be tied to VDD or VSS and U5 should be left unconnected. Or all JTAG inputs(TMS, TDI, and TCK and
TRST)
U2, U3, U4 and U6 could be left unconnected “NC” and the JTAG circuit will remain disabled from power up.
4. The 36M address will be ball T6 (for the 512K x 36 device) and ball T4 (for the 1M x 18 device).
5.
TRST is offered as an optional JTAG reset if required in the application. If not needed, can be left floating and will internally be pulled to VDD.
Top View
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VDDQ
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B
NC
CE
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LD
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NC
C
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VSS
NC
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NC
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CE
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VSS
NC
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VDDQ
NC
VSS
OE
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G
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BW
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VSS
NC
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R/
W
VSS
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J
VDDQ
VDD
(2)
VDD
VSS
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VDD
VDDQ
K
NC
I/O
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VSS
CLK
VSS
NC
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L
I/O13
NC
VSS
NC
BW1
I/O
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M
VDDQ
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CEN
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NC
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NC
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LBO
VDD
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NC
T
NC
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NC(4)
A
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A
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ZZ
U
VDDQ
NC/TMS(3)
NC/TDI
(3)
NC/TCK(3)
NC/TDO(3)
NC/
TRST(3,5)
VDDQ
5319 tb l 25a
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C
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OE
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BW
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CLK
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VDD
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(4)
ZZ
U
VDDQ
NC/TMS(3)
NC/TDI
(3)
NC/TCK (3)
NC/TDO(3) NC/
TRST(3,5)
VDDQ
5319 tbl 25
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71V2558XS166BQ | 256K X 18 ZBT SRAM, 3.5 ns, PBGA165 |
| IDT71V3576S133BGI | 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect |
| IDT71V3576S133BQ | 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect |
| IDT71V3576S133BQI | 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect |
| IDT71V3576S133PFI | 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT71T75902S75PF | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 75NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI |
| IDT71T75902S75PF8 | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 75NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI |
| IDT71T75902S75PFG | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 75NS 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF |
| IDT71T75902S75PFG8 | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 75NS 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF |
| IDT71T75902S75PFGI | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 18MBIT 7.5NS 100TQFP |
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