參數(shù)資料
型號(hào)： IDT71T75902S75BGI8
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： SRAM
英文描述： 1M X 18 ZBT SRAM, 7.5 ns, PBGA119
封裝： 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119
文件頁(yè)數(shù)： 14/26頁(yè)
文件大?。?/td> 644K
代理商： IDT71T75902S75BGI8
6.42
IDT71T75702, IDT71T75902, 512K x 36, 1M x 18, 2.5V Synchronous ZBT SRAMs with
2.5V I/O, Burst Counter and Flow-Through Outputs
Commercial and Industrial Temperature Ranges
21
JTAG Interface Specification
TCK
Device Inputs(1)/
TDI/TMS
Device Outputs(2)/
TDO
TRST(3)
tJCD
tJDC
tJRST
tJS
tJH
tJCYC
tJRSR
tJF
tJCL
tJR
tJCH
M5319 drw 01
x
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Units
tJCYC
JTAG Clock Input Period
100
____
ns
tJCH
JTAG Clock HIGH
40
____
ns
tJCL
JTAG Clock Low
40
____
ns
tJR
JTAG Clock Rise Time
____
5
(1)
ns
tJF
JTAG Clock Fall Time
____
5
(1)
ns
tJRST
JTAG Reset
50
____
ns
tJRSR
JTAG Reset Recovery
50
____
ns
tJCD
JTAG Data Output
____
20
ns
tJDC
JTAG Data Output Hold
0
____
ns
tJS
JTAG Setup
25
____
ns
tJH
JTAG Hold
25
____
ns
I5319 tbl 01
Register Name
Bit Size
Instruction (IR)
4
Bypass (BYR)
1
JTAG Identification (JIDR)
32
Boundary Scan (BSR)
Note (1)
I5319 tbl 03
NOTES:
1. Device inputs = All device inputs except TDI, TMS and
TRST.
2. Device outputs = All device outputs except TDO.
3. During power up,
TRST could be driven low or not be used since the JTAG circuit resets automatically. TRST is an optional JTAG reset.
NOTE:
1. The Boundary Scan Descriptive Language (BSDL) file for this device is available
by contacting your local IDT sales representative.
JTAG AC Electrical
Characteristics(1,2,3,4)
Scan Register Sizes
NOTES:
1. Guaranteed by design.
2. AC Test Load (Fig. 1) on external output signals.
3. Refer to AC Test Conditions stated earlier in this document.
4. JTAG operations occur at one speed (10MHz). The base device may run at any speed specified in this datasheet.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT71V2558XS166BQ 256K X 18 ZBT SRAM, 3.5 ns, PBGA165
IDT71V3576S133BGI 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
IDT71V3576S133BQ 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
IDT71V3576S133BQI 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
IDT71V3576S133PFI 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT71T75902S75PF 功能描述:IC SRAM 18MBIT 75NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲(chǔ)容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤(pán) 其它名稱:71V3557SA75BGI
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IDT71T75902S75PFG8 功能描述:IC SRAM 18MBIT 75NS 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲(chǔ)容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤(pán) 其它名稱:70V25S15PF
IDT71T75902S75PFGI 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 18MBIT 7.5NS 100TQFP
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