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參數(shù)資料
| 型號： | HY27US08121B-FIB |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 64M X 8 FLASH 3.3V PROM, 18 ns, PBGA63 |
| 封裝： | 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-63 |
| 文件頁數(shù)： | 32/40頁 |
| 文件大?。?/td> | 360K |
| 代理商： | HY27US08121B-FIB |
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Rev 0.5 / Jul. 2007
38
HY27US(08/16)12(1/2)B Series
512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash
Symbol
Millimeters
Min
Typ
Max
A
0.80
0.90
1.00
A1
0.25
0.30
0.35
A2
0.55
0.60
0.65
b
0.40
0.45
0.50
D
8.90
9.00
9.10
D1
4.00
D2
7.20
E
10.90
11.00
11.10
E1
5.60
E2
8.80
e0.80
FD
2.50
FD1
0.90
FE
2.70
FE1
1.10
SD
0.40
SE
0.40
Figure 33. 63-ball FBGA - 9 x 11 ball array 0.8mm pitch, Pakage Outline
NOTE: Drawing is not to scale.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY27US081G1MSES | 128M X 8 FLASH 2.7V PROM, 45 ns, PDSO48 |
| HY27US081G1MTCS | 128M X 8 FLASH 2.7V PROM, 45 ns, PDSO48 |
| HY27US081G1MTPMP | 128M X 8 FLASH 2.7V PROM, 45 ns, PDSO48 |
| HY5116100BJ-70 | 16M X 1 FAST PAGE DRAM, 70 ns, PDSO24 |
| HY5116804CSLT-80 | 2M X 8 EDO DRAM, 80 ns, PDSO28 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY27US08121B-T(P) | 制造商:SK Hynix Inc 功能描述: |
| HY27US08121B-TPCB | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述: |
| HY27US08121M | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash |
| HY27US08122B | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash |
| HY27US081G1M | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash |
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