- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄223992 > HY27US08121B-FIB (HYNIX SEMICONDUCTOR INC) 64M X 8 FLASH 3.3V PROM, 18 ns, PBGA63 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY27US08121B-FIB |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 64M X 8 FLASH 3.3V PROM, 18 ns, PBGA63 |
| 封裝： | 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-63 |
| 文件頁數(shù)： | 29/40頁 |
| 文件大?。?/td> | 360K |
| 代理商： | HY27US08121B-FIB |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁當(dāng)前第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁
Rev 0.5 / Jul. 2007
35
HY27US(08/16)12(1/2)B Series
512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash
Figure 29: Enable Erasing
Figure 30: Disable Erasing
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY27US081G1MSES | 128M X 8 FLASH 2.7V PROM, 45 ns, PDSO48 |
| HY27US081G1MTCS | 128M X 8 FLASH 2.7V PROM, 45 ns, PDSO48 |
| HY27US081G1MTPMP | 128M X 8 FLASH 2.7V PROM, 45 ns, PDSO48 |
| HY5116100BJ-70 | 16M X 1 FAST PAGE DRAM, 70 ns, PDSO24 |
| HY5116804CSLT-80 | 2M X 8 EDO DRAM, 80 ns, PDSO28 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY27US08121B-T(P) | 制造商:SK Hynix Inc 功能描述: |
| HY27US08121B-TPCB | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述: |
| HY27US08121M | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash |
| HY27US08122B | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash |
| HY27US081G1M | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。