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參數(shù)資料
| 型號： | HY27US08121B-FIB |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 64M X 8 FLASH 3.3V PROM, 18 ns, PBGA63 |
| 封裝： | 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-63 |
| 文件頁數(shù)： | 30/40頁 |
| 文件大?。?/td> | 360K |
| 代理商： | HY27US08121B-FIB |
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Rev 0.5 / Jul. 2007
36
HY27US(08/16)12(1/2)B Series
512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash
Table 19: 48pin-TSOP1, 12 x 20mm, Package Mechanical Data
Symbol
millimeters
Min
Typ
Max
A
1.200
A1
0.050
0.150
A2
0.980
1.030
B
0.170
0.250
C
0.100
0.200
CP
0.100
D
11.910
12.000
12.120
E
19.900
20.000
20.100
E1
18.300
18.400
18.500
e
0.500
L
0.500
0.680
alpha
0
5
Figure 31: 48pin-TSOP1, 12 x 20mm, Package Outline
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY27US081G1MSES | 128M X 8 FLASH 2.7V PROM, 45 ns, PDSO48 |
| HY27US081G1MTCS | 128M X 8 FLASH 2.7V PROM, 45 ns, PDSO48 |
| HY27US081G1MTPMP | 128M X 8 FLASH 2.7V PROM, 45 ns, PDSO48 |
| HY5116100BJ-70 | 16M X 1 FAST PAGE DRAM, 70 ns, PDSO24 |
| HY5116804CSLT-80 | 2M X 8 EDO DRAM, 80 ns, PDSO28 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY27US08121B-T(P) | 制造商:SK Hynix Inc 功能描述: |
| HY27US08121B-TPCB | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述: |
| HY27US08121M | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash |
| HY27US08122B | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash |
| HY27US081G1M | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash |
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