- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄223992 > HY27US081G1MTPMP (HYNIX SEMICONDUCTOR INC) 128M X 8 FLASH 2.7V PROM, 45 ns, PDSO48 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | HY27US081G1MTPMP |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 128M X 8 FLASH 2.7V PROM, 45 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, TSOP1-48 |
| 文件頁數(shù)： | 1/39頁 |
| 文件大?。?/td> | 312K |
| 代理商： | HY27US081G1MTPMP |
當(dāng)前第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix does not assume any responsibility for
use of circuits described. No patent licenses are implied.
Rev 0.2 / May. 2007
1
Preliminary
HY27US(08/16)1G1M Series
1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash
1Gb NAND FLASH
HY27US081G1M
HY27US161G1M
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY5116100BJ-70 | 16M X 1 FAST PAGE DRAM, 70 ns, PDSO24 |
| HY5116804CSLT-80 | 2M X 8 EDO DRAM, 80 ns, PDSO28 |
| HY514400ALT-60 | 1M X 4 FAST PAGE DRAM, 60 ns, PDSO20 |
| HY51VS65173HGLT-5 | 4M X 16 EDO DRAM, 50 ns, PDSO50 |
| HY57V283220LT-7I | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PDSO86 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY27US08281A | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128Mbit (16Mx8bit / 8Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27US08282A | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128Mbit (16Mx8bit / 8Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27US08561A | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash |
| HY27US08561A-T (P) | 制造商:SK Hynix Inc 功能描述: |
| HY27US08561M | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。