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參數資料
| 型號： | HY27US081G1MTPMP |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 128M X 8 FLASH 2.7V PROM, 45 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, TSOP1-48 |
| 文件頁數： | 10/39頁 |
| 文件大?。?/td> | 312K |
| 代理商： | HY27US081G1MTPMP |
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Rev 0.2 / May. 2007
18
Preliminary
HY27US(08/16)1G1M Series
1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash
Item
Symbol
Test Condition
Min
Max
Unit
Input / Output Capacitance
CI/O
VIL=0V
-
10
pF
Input Capacitance
CIN
VIN=0V
-
10
pF
Table 10: Pin Capacitance (TA=25C, F=1.0MHz)
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Program Time
tPROG
-
200
500
us
Number of partial Program Cycles in the same page
Main Array
NOP
-
4
Cycles
Spare Array
NOP
-
4
Cycles
Block Erase Time
tBERS
-2
3
ms
Table 11: Program / Erase Characteristics
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY5116100BJ-70 | 16M X 1 FAST PAGE DRAM, 70 ns, PDSO24 |
| HY5116804CSLT-80 | 2M X 8 EDO DRAM, 80 ns, PDSO28 |
| HY514400ALT-60 | 1M X 4 FAST PAGE DRAM, 60 ns, PDSO20 |
| HY51VS65173HGLT-5 | 4M X 16 EDO DRAM, 50 ns, PDSO50 |
| HY57V283220LT-7I | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PDSO86 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| HY27US08281A | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128Mbit (16Mx8bit / 8Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27US08282A | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128Mbit (16Mx8bit / 8Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27US08561A | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash |
| HY27US08561A-T (P) | 制造商:SK Hynix Inc 功能描述: |
| HY27US08561M | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash |
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