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參數(shù)資料
| 型號： | HY27US081G1MTPMP |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 128M X 8 FLASH 2.7V PROM, 45 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, TSOP1-48 |
| 文件頁數(shù)： | 13/39頁 |
| 文件大小： | 312K |
| 代理商： | HY27US081G1MTPMP |
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Rev 0.2 / May. 2007
20
Preliminary
HY27US(08/16)1G1M Series
1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash
IO
Pagae
Program
Block
Erase
Read
CODING
0
Pass / Fail
NA
Pass: ‘0’ Fail: ‘1’
1NA
NA
-
2NA
NA
-
3NA
NA
-
4NA
NA
-
5
Ready/Busy
Active: ‘0’ Idle: ‘1’
6
Ready/Busy
Busy: ‘0’ Ready’: ‘1’
7
Write Protect
Protected: ‘0’
Not Protected: ‘1’
Table 13: Status Register Coding
DEVICE IDENTIFIER CYCLE
DESCRIPTION
1st
Manufacturer Code
2nd
Device Identifier
3rd
Internal chip number, cell Type, Number of simultaneously Programmed
pages
4th
Page size, Spare size, Block size, Organization
Table 14: Device Identifier Coding
Part Number
Voltage Bus Width
1st cycle
(Manufacture Code)
2nd cycle
(Device Code)
3rd Cycle 4th Cycle
HY27US081G1M
3.3V
x8
ADh
79h
A5h
00h
HY27US161G1M
3.3V
x16
ADh
74h
A5h
00h
Table 15: Read ID Data Table
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY5116100BJ-70 | 16M X 1 FAST PAGE DRAM, 70 ns, PDSO24 |
| HY5116804CSLT-80 | 2M X 8 EDO DRAM, 80 ns, PDSO28 |
| HY514400ALT-60 | 1M X 4 FAST PAGE DRAM, 60 ns, PDSO20 |
| HY51VS65173HGLT-5 | 4M X 16 EDO DRAM, 50 ns, PDSO50 |
| HY57V283220LT-7I | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PDSO86 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY27US08281A | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128Mbit (16Mx8bit / 8Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27US08282A | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128Mbit (16Mx8bit / 8Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27US08561A | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash |
| HY27US08561A-T (P) | 制造商:SK Hynix Inc 功能描述: |
| HY27US08561M | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash |
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