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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY27US081G1MTPMP |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 128M X 8 FLASH 2.7V PROM, 45 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, TSOP1-48 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 12/39頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 312K |
| 代理商： | HY27US081G1MTPMP |
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Rev 0.2 / May. 2007
2
Preliminary
HY27US(08/16)1G1M Series
1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash
Document Title
1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
Revision History
Revision
No.
History
Draft Date
Remark
0.01
Initial Draft.
Nov. 11. 2005
Preliminary
0.02
1) Delete PRE pin.
2) Delete Lock mechanism.
3) Delete FBGA Package.
- Figure & dimension are changed.
Dec. 01. 2005
Preliminary
0.03
1) Change DC characteristics (Table 8)
Dec. 14. 2005
Preliminary
0.04
1) Add ECC algorithm. (1bit/512bytes)
2) Correct Read ID Cycle & Read ID naming
3) Correct Copy back program
4) Change DC and Operating Characteristics
Mar. 28. 2006
Preliminary
0.1
1) Correct Read ID Cycle
2) Change NOP
3) Correct copy back function
Oct. 02. 2006
Preliminary
0.2
1) Correct figure 32.
May. 18. 2007
Preliminary
ICC1
ICC2
ICC3
Typ
Max Typ Max Typ Max
Before
15
30
15
30
15
30
After
10201020
10
20
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY5116100BJ-70 | 16M X 1 FAST PAGE DRAM, 70 ns, PDSO24 |
| HY5116804CSLT-80 | 2M X 8 EDO DRAM, 80 ns, PDSO28 |
| HY514400ALT-60 | 1M X 4 FAST PAGE DRAM, 60 ns, PDSO20 |
| HY51VS65173HGLT-5 | 4M X 16 EDO DRAM, 50 ns, PDSO50 |
| HY57V283220LT-7I | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PDSO86 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY27US08281A | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128Mbit (16Mx8bit / 8Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27US08282A | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128Mbit (16Mx8bit / 8Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27US08561A | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash |
| HY27US08561A-T (P) | 制造商:SK Hynix Inc 功能描述: |
| HY27US08561M | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash |
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