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參數(shù)資料
| 型號： | HY27US08121B-FIB |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 64M X 8 FLASH 3.3V PROM, 18 ns, PBGA63 |
| 封裝： | 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-63 |
| 文件頁數(shù)： | 23/40頁 |
| 文件大?。?/td> | 360K |
| 代理商： | HY27US08121B-FIB |
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Rev 0.5 / Jul. 2007
3
HY27US(08/16)12(1/2)B Series
512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash
FEATURES SUMMARY
HIGH DENSITY NAND FLASH MEMORIES
- Cost effective solutions for mass storage applications
NAND INTERFACE
- x8 or x16 bus width.
- Multiplexed Address/ Data
- Pinout compatibility for all densities
SUPPLY VOLTAGE
- VCC = 2.7 to 3.6V : HY27US(08/16)12(1/2)B
Memory Cell Array
x8 : (512+16) Bytes x 32 Pages x 4,096 Blocks
x16 : (256+8) Words x 32 Pages x 4,096 Blocks
PAGE SIZE
- x8 device : (512+16) Bytes
: HY27US0812(1/2)B
- x16 device : (256+8) Words
: HY27US1612(1/2)B
BLOCK SIZE
- x8 device: (16K + 512 spare) Bytes
- x16 device: (8K + 256 spare) Words
PAGE READ / PROGRAM
- Random access: 12us (max.)
- Sequential access: 30ns (min.)
- Page program time: 200us (typ.)
COPY BACK PROGRAM MODE
- Fast page copy without external buffering
FAST BLOCK ERASE
- Block erase time: 2ms (Typ.)
STATUS REGISTER
ELECTRONIC SIGNATURE
- 1st cycle: Manufacturer Code
- 2nd cycle: Device Code
CHIP ENABLE DON’T CARE
- Simple interface with microcontroller
HARDWARE DATA PROTECTION
- Program/Erase locked during Power transitions
CE DON’t CARD OPTION ONLY
DATA RETENTION
- 100,000 Program/Erase cycles (with 1bit/512byte ECC)
- 10 years Data Retention
PACKAGE
- HY27US(08/16)12(1/2)B-T(P)
: 48-Pin TSOP1 (12 x 20 x 1.2 mm)
- HY27US(08/16)12(1/2)B-T (Lead)
- HY27US(08/16)12(1/2)B-TP (Lead Free)
- HY27US0812(1/2)B-S(P)
: 48-Pin USOP1 (12 x 17 x 0.65 mm)
- HY27US0812(1/2)B-S (Lead)
- HY27US0812(1/2)B-SP (Lead Free)
- HY27US0812(1/2)B-F(P)
: 63-Ball FBGA (9 x 11 x 1.0 mm)
- HY27US0812(1/2)B-F (Lead)
- HY27US0812(1/2)B-FP (Lead Free)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY27US081G1MSES | 128M X 8 FLASH 2.7V PROM, 45 ns, PDSO48 |
| HY27US081G1MTCS | 128M X 8 FLASH 2.7V PROM, 45 ns, PDSO48 |
| HY27US081G1MTPMP | 128M X 8 FLASH 2.7V PROM, 45 ns, PDSO48 |
| HY5116100BJ-70 | 16M X 1 FAST PAGE DRAM, 70 ns, PDSO24 |
| HY5116804CSLT-80 | 2M X 8 EDO DRAM, 80 ns, PDSO28 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY27US08121B-T(P) | 制造商:SK Hynix Inc 功能描述: |
| HY27US08121B-TPCB | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述: |
| HY27US08121M | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash |
| HY27US08122B | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash |
| HY27US081G1M | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash |
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