參數(shù)資料
型號(hào)： HY27US08121B-FIB
廠商： HYNIX SEMICONDUCTOR INC
元件分類： PROM
英文描述： 64M X 8 FLASH 3.3V PROM, 18 ns, PBGA63
封裝： 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-63
文件頁(yè)數(shù)： 11/40頁(yè)
文件大小： 360K
代理商： HY27US08121B-FIB
Rev 0.5 / Jul. 2007
19
HY27US(08/16)12(1/2)B Series
512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash
Item
Symbol
Test Condition
Min
Max
Unit
Input / Output Capacitance
CI/O
VIL=0V
-
10
pF
Input Capacitance
CIN
VIN=0V
-
10
pF
Table 11: Pin Capacitance (TA=25C, F=1.0MHz)
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Program Time
tPROG
-
200
700
us
Number of partial Program Cycles in the same page
Main Array
NOP
-
1
Cycles
Spare Array
NOP
-
2
Cycles
Block Erase Time
tBERS
-2
3
ms
Table 12: Program / Erase Characteristics
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HY27US081G1MSES 128M X 8 FLASH 2.7V PROM, 45 ns, PDSO48
HY27US081G1MTCS 128M X 8 FLASH 2.7V PROM, 45 ns, PDSO48
HY27US081G1MTPMP 128M X 8 FLASH 2.7V PROM, 45 ns, PDSO48
HY5116100BJ-70 16M X 1 FAST PAGE DRAM, 70 ns, PDSO24
HY5116804CSLT-80 2M X 8 EDO DRAM, 80 ns, PDSO28
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HY27US08121B-T(P) 制造商:SK Hynix Inc 功能描述:
HY27US08121B-TPCB 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:
HY27US08121M 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash
HY27US08122B 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash
HY27US081G1M 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash
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