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參數(shù)資料
| 型號： | HY27US08121B-FIB |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 64M X 8 FLASH 3.3V PROM, 18 ns, PBGA63 |
| 封裝： | 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-63 |
| 文件頁數(shù)： | 2/40頁 |
| 文件大小： | 360K |
| 代理商： | HY27US08121B-FIB |
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Rev 0.5 / Jul. 2007
10
HY27US(08/16)12(1/2)B Series
512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash
CLE
ALE
CE
WE
RE
WP
MODE
H
L
Rising
H
X
Read Mode
Command Input
L
H
L
Rising
H
X
Address Input(4 cycles)
H
L
Rising
H
Write Mode
Command Input
L
H
L
Rising
H
Address Input(4 cycles)
LLL
Rising
H
Data Input
LL
L(1)
H
Falling
X
Sequential Read and Data Output
L
H
X
During Read (Busy)
XXXX
XH
During Program (Busy)
XXXX
XH
During Erase (Busy)
XXXX
X
L
Write Protect
XX
H
X
0V/Vcc
Stand By
Table 6: Mode Selection
NOTE:
1. With the CE high during latency time does not stop the read operation
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY27US081G1MSES | 128M X 8 FLASH 2.7V PROM, 45 ns, PDSO48 |
| HY27US081G1MTCS | 128M X 8 FLASH 2.7V PROM, 45 ns, PDSO48 |
| HY27US081G1MTPMP | 128M X 8 FLASH 2.7V PROM, 45 ns, PDSO48 |
| HY5116100BJ-70 | 16M X 1 FAST PAGE DRAM, 70 ns, PDSO24 |
| HY5116804CSLT-80 | 2M X 8 EDO DRAM, 80 ns, PDSO28 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY27US08121B-T(P) | 制造商:SK Hynix Inc 功能描述: |
| HY27US08121B-TPCB | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述: |
| HY27US08121M | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash |
| HY27US08122B | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash |
| HY27US081G1M | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash |
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