參數(shù)資料
型號(hào)： HY27US08121B-FIB
廠商： HYNIX SEMICONDUCTOR INC
元件分類： PROM
英文描述： 64M X 8 FLASH 3.3V PROM, 18 ns, PBGA63
封裝： 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-63
文件頁(yè)數(shù)： 31/40頁(yè)
文件大?。?/td> 360K
代理商： HY27US08121B-FIB
Rev 0.5 / Jul. 2007
37
HY27US(08/16)12(1/2)B Series
512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash
Symbol
millimeters
Min
Typ
Max
A
0.650
A1
0
0.050
0.080
A2
0.470
0.520
0.570
B
0.130
0.160
0.230
C
0.065
0.100
0.175
C1
0.450
0.650
0.750
CP
0.100
D
16.900
17.000
17.100
D1
11.910
12.000
12.120
E
15.300
15.400
15.500
e
0.500
alpha
0
8
Figure 32. 48pin-USOP1, 12 x 17mm, Package Outline
Table 20: 48pin-USOP1, 12 x 17mm, Package Mechanical Data
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HY27US081G1MSES 128M X 8 FLASH 2.7V PROM, 45 ns, PDSO48
HY27US081G1MTCS 128M X 8 FLASH 2.7V PROM, 45 ns, PDSO48
HY27US081G1MTPMP 128M X 8 FLASH 2.7V PROM, 45 ns, PDSO48
HY5116100BJ-70 16M X 1 FAST PAGE DRAM, 70 ns, PDSO24
HY5116804CSLT-80 2M X 8 EDO DRAM, 80 ns, PDSO28
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HY27US08121B-T(P) 制造商:SK Hynix Inc 功能描述:
HY27US08121B-TPCB 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:
HY27US08121M 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash
HY27US08122B 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash
HY27US081G1M 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*