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參數(shù)資料
| 型號： | HY27UA081G1M-TIB |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 128M X 8 FLASH 3.3V PROM, 12000 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, TSOP1-48 |
| 文件頁數(shù)： | 33/43頁 |
| 文件大?。?/td> | 729K |
| 代理商： | HY27UA081G1M-TIB |
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Rev 0.5 / Oct. 2004
39
HY27UA(08/16)1G1M Series
HY27SA(08/16)1G1M Series
1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash
* Application Note
Reset command must be issued when the controller writes data to another 512Mb.(i.e. When A26 is changed
during program.)
Figure 34. Resistor Value Waveform Timings for Ready/Busy Signal
400
300
200
100
0
12
34
1.7
1
2
3
4
1.7
30
60
90
120
0.85
0.57
0.43
Vcc=1.8, CL=30pF
Rp(K)
tr,
tf(ns)
ibusy(mA)
400
300
200
100
0
12
34
3.6
1
2
3
4
3.6
2.4
3.6
100
1.2
0.8
400
200
300
0.6
Vcc=3.3, CL=100pF
Rp(K)
tr,
tf(ns)
ib
usy(mA
)
tf
ibusy
tr
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY27US08121B-TPIS | 64M X 8 FLASH 3.3V PROM, 18 ns, PDSO48 |
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| HY27US081G1MSES | 128M X 8 FLASH 2.7V PROM, 45 ns, PDSO48 |
| HY27US081G1MTCS | 128M X 8 FLASH 2.7V PROM, 45 ns, PDSO48 |
| HY27US081G1MTPMP | 128M X 8 FLASH 2.7V PROM, 45 ns, PDSO48 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY27UA161G1M | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27UA1G1M | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27UAXXX | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27UF081G2A | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash |
| HY27UF081G2A-C | 制造商:SK Hynix Inc 功能描述: |
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