參數(shù)資料
型號： HY27UA081G1M-TIB
廠商： HYNIX SEMICONDUCTOR INC
元件分類： PROM
英文描述： 128M X 8 FLASH 3.3V PROM, 12000 ns, PDSO48
封裝： 12 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, TSOP1-48
文件頁數(shù)： 28/43頁
文件大?。?/td> 729K
代理商： HY27UA081G1M-TIB
Rev 0.5 / Oct. 2004
34
HY27UA(08/16)1G1M Series
HY27SA(08/16)1G1M Series
1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash
Note: 1. A0-A7 is the address in the Spare Memory area, where A0-A3 are valid and A4-A7 are don't care.
2. Only address cycle 4 is required.
Figure 28. Read C Operation, One Page AC Waveform
I/O
WE
CE
CLE
ALE
RE
RB
Add. M
cycle 1
50h
Data M
Add. M
cycle 2
Add. M
cycle 3
Add. M
cycle 4
Data
Last
tWHBH
tWHALL
tBHRL
tALLRL2
Command
Code
Address M Input
Busy
Data Output from M to
Last Byte or Word in Area C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HY27US08121B-TPIS 64M X 8 FLASH 3.3V PROM, 18 ns, PDSO48
HY27US08121B-FIB 64M X 8 FLASH 3.3V PROM, 18 ns, PBGA63
HY27US081G1MSES 128M X 8 FLASH 2.7V PROM, 45 ns, PDSO48
HY27US081G1MTCS 128M X 8 FLASH 2.7V PROM, 45 ns, PDSO48
HY27US081G1MTPMP 128M X 8 FLASH 2.7V PROM, 45 ns, PDSO48
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HY27UA161G1M 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27UA1G1M 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27UAXXX 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27UF081G2A 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash
HY27UF081G2A-C 制造商:SK Hynix Inc 功能描述:
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