- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄223992 > HY27UA081G1M-TIB (HYNIX SEMICONDUCTOR INC) 128M X 8 FLASH 3.3V PROM, 12000 ns, PDSO48 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY27UA081G1M-TIB |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 128M X 8 FLASH 3.3V PROM, 12000 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, TSOP1-48 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 20/43頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 729K |
| 代理商： | HY27UA081G1M-TIB |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)當(dāng)前第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)
Rev 0.5 / Oct. 2004
27
HY27UA(08/16)1G1M Series
HY27SA(08/16)1G1M Series
1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash
Table 13: DC Characteristics, 3.3V Device and 1.8V Device
Symbol
Parameter
Test Condition
3.3V
1.8V
Unit
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
ICC1
Operating
Current
Sequential Read
tRLRL minimum
CE=VIL, IOUT = 0 mA
-
15
30
-
10
20
mA
ICC2
Program
-
15
30
-
10
20
mA
ICC3
Erase
-
15
30
-
10
20
mA
ICC4
Stand-by Current (TTL)
CE=VIH, WP=0V/
VCC
--
1
-
1
mA
ICC5
Stand-By Current (CMOS)
CE=VCC-0.2, WP=0/
VCC
-
20
100
-
20
100
uA
ILI
Input Leakage Current
VIN= 0 to VCCmax
-
±
20
-
±
20
uA
ILO
Output Leakage Current
VOUT= 0 to VCCmax
-
±
20
-
±
20
uA
VIH
Input High Voltage
-
2.0
-
VCC+0.3 VCC+0.4
VCC+0.3
V
VIL
Input Low Voltage
-
-0.3
-
0.8
-0.3
0.4
V
VOH
Output High Voltage Level
IOH = -400uA
2.4
-
VCC-0.1
-
V
VOL
Output Low Voltage Level
IOL = 2.1mA
-
0.4
-
0.1
V
IOL(RB)
Output Low Current (RB)
VOL = 0.1V
8
10
-
3
4
-
mA
VLKO
VDD Supply Voltage
(Erase and Program lockout)
--
-
2.5
-
1.5
V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY27US08121B-TPIS | 64M X 8 FLASH 3.3V PROM, 18 ns, PDSO48 |
| HY27US08121B-FIB | 64M X 8 FLASH 3.3V PROM, 18 ns, PBGA63 |
| HY27US081G1MSES | 128M X 8 FLASH 2.7V PROM, 45 ns, PDSO48 |
| HY27US081G1MTCS | 128M X 8 FLASH 2.7V PROM, 45 ns, PDSO48 |
| HY27US081G1MTPMP | 128M X 8 FLASH 2.7V PROM, 45 ns, PDSO48 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY27UA161G1M | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27UA1G1M | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27UAXXX | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27UF081G2A | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash |
| HY27UF081G2A-C | 制造商:SK Hynix Inc 功能描述: |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。