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參數(shù)資料
| 型號： | HY27SA081G1M-FPEB |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 12000 ns, PBGA63 |
| 封裝： | 8.50 X 15 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63 |
| 文件頁數(shù)： | 7/45頁 |
| 文件大?。?/td> | 675K |
| 代理商： | HY27SA081G1M-FPEB |
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Rev 0.3 / May. 2004
15
Preliminary
HY27UA(08/16)1G1M Series
HY27SA(08/16)1G1M Series
1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash
Note: 1. If tELWL is less than 10ns, tWLWH must be minimum 35ns, otherwise, tWLWH may be minimum 25ns.
Note: 1. Highest address depends on device density.
Figure 10. Read (A, B, C) Operation
Figure 11. Read Block Diagrams
CLE
ALE
I/O
RB
tBLBH1
(read)
00h/
01h/ 50h
Command
Code
Address Input
Data Output (sequentially)
Busy
CE
WE
RE
Area A
(1st half Page)
Area B
(2nd half
Page)
Area C
(Spare)
Read A Command, x8 Devices
A9-A26(1)
A0-A7
Area C
(50h)
Read A Command, x16 Devices
Area A
(main area)
A9-A26(1)
A0-A7
Area A
Area C
(Spare)
Read C Command, x8/x16 Devices
A9-A26(1)
A0-A3 (x8)
A0-A2 (x16)
Area A/B
A4-A7 (x8), A3-A7 (x16) are don't care
Area A
(1st half Page)
Area C
(Spare)
Read B Command, x8 Devices
A9-A26(1)
A0-A7
Area B
(2nd half
Page)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY27SA081G1M-VPEB | 128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 12000 ns, PDSO48 |
| HY27UA081G1M-TIB | 128M X 8 FLASH 3.3V PROM, 12000 ns, PDSO48 |
| HY27US08121B-TPIS | 64M X 8 FLASH 3.3V PROM, 18 ns, PDSO48 |
| HY27US08121B-FIB | 64M X 8 FLASH 3.3V PROM, 18 ns, PBGA63 |
| HY27US081G1MSES | 128M X 8 FLASH 2.7V PROM, 45 ns, PDSO48 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY27SA161G1M | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27SA1G1M | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27SAXXX | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27SF081G2A | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash |
| HY27SF081G2A-F(P) | 制造商:SK Hynix Inc 功能描述: |
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