參數(shù)資料
型號： HY27SA081G1M-FPEB
廠商： HYNIX SEMICONDUCTOR INC
元件分類： PROM
英文描述： 128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 12000 ns, PBGA63
封裝： 8.50 X 15 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63
文件頁數(shù)： 19/45頁
文件大?。?/td> 675K
代理商： HY27SA081G1M-FPEB
Rev 0.3 / May. 2004
27
Preliminary
HY27UA(08/16)1G1M Series
HY27SA(08/16)1G1M Series
1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash
Table 8: Valid Block
PROGRAM AND ERASE TIMES AND ENDURANCE CYCLES
The Program and Erase times and the number of Program/ Erase cycles per block are shown in Table 9.
Symbol
Para.
Min
Max
Unit
NVB
# of Valid Block
8052
8192
Blocks
Figure 20. Bad Block Management Flowchart
START
Block Address=
Block 0
Data
=FFh?
Last
block?
END
Update
Bad Block table
Increment
Block Address
YES
NO
YES
NO
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HY27SA081G1M-VPEB 128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 12000 ns, PDSO48
HY27UA081G1M-TIB 128M X 8 FLASH 3.3V PROM, 12000 ns, PDSO48
HY27US08121B-TPIS 64M X 8 FLASH 3.3V PROM, 18 ns, PDSO48
HY27US08121B-FIB 64M X 8 FLASH 3.3V PROM, 18 ns, PBGA63
HY27US081G1MSES 128M X 8 FLASH 2.7V PROM, 45 ns, PDSO48
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HY27SA161G1M 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27SA1G1M 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27SAXXX 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27SF081G2A 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash
HY27SF081G2A-F(P) 制造商:SK Hynix Inc 功能描述:
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