參數(shù)資料
型號： HY27SA081G1M-FPEB
廠商： HYNIX SEMICONDUCTOR INC
元件分類： PROM
英文描述： 128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 12000 ns, PBGA63
封裝： 8.50 X 15 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63
文件頁數(shù)： 42/45頁
文件大小： 675K
代理商： HY27SA081G1M-FPEB
Rev 0.3 / May. 2004
6
Preliminary
HY27UA(08/16)1G1M Series
HY27SA(08/16)1G1M Series
1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash
Figure 5. 63-FBGA Contactions, x8 Device (Top view through package)
Figure 6. 63-FBGA Contactions, x16 Device (Top view through package)
6
5
4
3
2
1
A
B
C
D
E
F
G
H
ALE
VSS
CE
WE
RB
NC
RE
CLE
NC
WP
NC
I/O0
NC
VCC
NC
I/O1
NC
VCC
I/O5
I/O7
VSS
I/O2
I/O3
I/O4
I/O6
VSS
NC
10
9
8
7
J
K
L
M
4
6
5
4
3
2
1
A
B
C
D
E
F
G
H
ALE
VSS
CE
WE
RB
NC
RE
CLE
NC
WP
NC
I/O5
NC
I/O1
VCC
I/O6 I/O15
VSS
I/O2
I/O11
I/O4
I/O13
VSS
NC
10
9
8
7
J
K
L
M
4
I/O7
I/O8
I/O10
I/O12 I/O14
I/O0
I/O9
I/O3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HY27SA081G1M-VPEB 128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 12000 ns, PDSO48
HY27UA081G1M-TIB 128M X 8 FLASH 3.3V PROM, 12000 ns, PDSO48
HY27US08121B-TPIS 64M X 8 FLASH 3.3V PROM, 18 ns, PDSO48
HY27US08121B-FIB 64M X 8 FLASH 3.3V PROM, 18 ns, PBGA63
HY27US081G1MSES 128M X 8 FLASH 2.7V PROM, 45 ns, PDSO48
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HY27SA161G1M 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27SA1G1M 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27SAXXX 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27SF081G2A 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash
HY27SF081G2A-F(P) 制造商:SK Hynix Inc 功能描述:
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*