參數(shù)資料
型號(hào)： HY27SA081G1M-FPEB
廠商： HYNIX SEMICONDUCTOR INC
元件分類： PROM
英文描述： 128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 12000 ns, PBGA63
封裝： 8.50 X 15 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63
文件頁(yè)數(shù)： 36/45頁(yè)
文件大?。?/td> 675K
代理商： HY27SA081G1M-FPEB
Rev 0.3 / May. 2004
42
Preliminary
HY27UA(08/16)1G1M Series
HY27SA(08/16)1G1M Series
1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash
* Application Note
Reset command must be issued when the controller writes data to another 512Mb.(i.e. When A26 is changed
during program.)
Figure 35. Resistor Value Waveform Timings for Ready/Busy Signal
400
300
200
100
0
12
34
1.7
1
2
3
4
1.7
30
60
90
120
0.85
0.57
0.43
Vcc=1.8, CL=30pF
Rp(K)
tr,
tf(ns)
ibusy(mA)
400
300
200
100
0
12
34
3.6
1
2
3
4
3.6
2.4
3.6
100
1.2
0.8
400
200
300
0.6
Vcc=3.3, CL=100pF
Rp(K)
tr,
tf(ns)
ib
usy(mA
)
tf
ibusy
tr
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HY27SA081G1M-VPEB 128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 12000 ns, PDSO48
HY27UA081G1M-TIB 128M X 8 FLASH 3.3V PROM, 12000 ns, PDSO48
HY27US08121B-TPIS 64M X 8 FLASH 3.3V PROM, 18 ns, PDSO48
HY27US08121B-FIB 64M X 8 FLASH 3.3V PROM, 18 ns, PBGA63
HY27US081G1MSES 128M X 8 FLASH 2.7V PROM, 45 ns, PDSO48
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HY27SA161G1M 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27SA1G1M 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27SAXXX 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27SF081G2A 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash
HY27SF081G2A-F(P) 制造商:SK Hynix Inc 功能描述:
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