參數(shù)資料
型號(hào)： HY27SA081G1M-FPEB
廠商： HYNIX SEMICONDUCTOR INC
元件分類： PROM
英文描述： 128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 12000 ns, PBGA63
封裝： 8.50 X 15 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63
文件頁數(shù)： 31/45頁
文件大?。?/td> 675K
代理商： HY27SA081G1M-FPEB
Rev 0.3 / May. 2004
38
Preliminary
HY27UA(08/16)1G1M Series
HY27SA(08/16)1G1M Series
1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash
Figure 29. Page Program AC Waveform
I/O
WE
CE
CLE
ALE
RE
RB
N
Last
10h
70h
SR0
tWLWL
(Write Cycle time)
tWLWL
tWHBL
tBLBH2
(Program Busy time)
Address Input
Data Input
Confirm
Code
Page
Program
Read Status
Register
80h
Add. N
cycle 1
Add. N
cycle 2
Add. N
cycle 3
Page Program
Setup Code
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HY27SA081G1M-VPEB 128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 12000 ns, PDSO48
HY27UA081G1M-TIB 128M X 8 FLASH 3.3V PROM, 12000 ns, PDSO48
HY27US08121B-TPIS 64M X 8 FLASH 3.3V PROM, 18 ns, PDSO48
HY27US08121B-FIB 64M X 8 FLASH 3.3V PROM, 18 ns, PBGA63
HY27US081G1MSES 128M X 8 FLASH 2.7V PROM, 45 ns, PDSO48
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HY27SA161G1M 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27SA1G1M 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27SAXXX 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27SF081G2A 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash
HY27SF081G2A-F(P) 制造商:SK Hynix Inc 功能描述:
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