參數(shù)資料
型號(hào)： HB52E169E12
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： 128 MB Registered SDRAM DIMM(128 MB 寄存同步DRAM DIMM)
中文描述： 128 MB的注冊(cè)SDRAM的內(nèi)存（128 MB的寄存同步的DRAM內(nèi)存）
文件頁(yè)數(shù)： 8/53頁(yè)
文件大小： 1737K
代理商： HB52E169E12
HB52E169E12-F
8
Absolute Maximum Ratings
Note: 1. Respect to V
SS
DC Operating Conditions (Ta = 0 to +55
°
C)
Notes: 1. All voltage referred to V
SS
2. The supply voltage with all VCC pins must be on the same level.
3. The supply voltage with all VSS pins must be on the same level.
4. V
IH
(max) = V
CC
+ 2.0 V for pulse width
≤
3 ns at V
CC
.
5. V
IL
(min) = V
CC
– 2.0 V for pulse width
≤
3 ns at V
SS
.
V
IL
/V
IH
Clamp (Component characteristics)
This SDRAM component has V
IL
and V
IH
clamp for CK, CKE, S, DQMB and DQ pins.
Minimum V
IL
Clamp Current
Parameter
Voltage on any pin relative to V
SS
Symbol
V
T
Value
–0.5 to V
CC
+ 0.5
(
≤
4.6 (max))
–0.5 to +4.6
50
18.0
0 to +55
–50 to +100
Unit
V
Note
1
Supply voltage relative to V
SS
Short circuit output current
Power dissipation
Operating temperature
Storage temperature
V
CC
Iout
P
T
Topr
Tstg
V
mA
W
°
C
°
C
1
Parameter
Supply voltage
Symbol
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
Min
3.0
0
2.0
0
Max
3.6
0
V
CC
0.8
Unit
V
V
V
V
Notes
1, 2
3
1, 4
1, 5
Input high voltage
Input low voltage
V
IL
(V)
–2
–1.8
–1.6
–1.4
–1.2
–1
–0.9
–0.8
–0.6
–0.4
–0.2
0
I (mA)
–32
–25
–19
–13
–8
–4
–2
–0.6
0
0
0
0
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PDF描述
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HB52E649E12-A6B 512 MB Registered SDRAM DIMM 64-Mword 】 72-bit, 100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (18 pcs of 64 M 】 4 Components) PC100 SDRAM
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