參數(shù)資料
型號(hào)： HB52E169E12
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： 128 MB Registered SDRAM DIMM(128 MB 寄存同步DRAM DIMM)
中文描述： 128 MB的注冊(cè)SDRAM的內(nèi)存（128 MB的寄存同步的DRAM內(nèi)存）
文件頁(yè)數(shù)： 47/53頁(yè)
文件大小： 1737K
代理商： HB52E169E12
HB52E169E12-F
47
Read/Burst Write Cycle
<
D
E
N
2
;
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D
<
D
E
;
<
D
E
F
N
4
=
E
F
3
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E
4
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E
3
4
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A
I
J
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B
I
J
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(
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(
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0
1
H
0
1
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19
20
R:a
C:a
R:b
C:a'
R:a
C:a
C:a
J
A
J
@
A
I
J
a+1
a
a+1 a+2 a+3
H
PI
H
H
H
Bank 0
Active
Bank 0
Read
Bank 0
Write
Bank 0
Precharge
Read/Burst write
RE
-
CE
delay = 3
CE
latency = 4
Burst length = 4
= V or V
IH
'
(
0
)
&
.
/
7
8
@
*
2
3
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R:b
Bank 3
Active
,
4
5
=
+
,
4
5
=
+
,
4
=
"
+
4
"
*
+
9
B
C
J
K
9
A
B
J
8
9
A
B
J
8
9
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A
J
/
8
@
A
H
I
#$
,
5
+
,
5
+
,
"
+
"
+
CKE
RE
S
CE
W
BA
Address
DQMB
CK
CKE
RE
S
CE
W
BA
Address
DQMB
a+1 a+2 a+3
a
a+3
a
A
I
J
'
(
1
*
2
3
:
;
C
D
+
3
4
<
=
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'
Bank 0
Active
Bank 0
Read
Bank 3
Active
Clock
suspend
Bank 0
Write
Bank 0
Precharge
Bank 3
Precharge
&
'
.
/
7
@
#
V
IH
IL
Din
Dout
Din
Dout
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HB52E648EN 512 MB Unbuffered SDRAM DIMM(512 MB 未緩沖同步DRAM DIMM)
HB52E649EN 512 MB Unbuffered SDRAM DIMM(512 MB 未緩沖同步DRAM DIMM)
HB52E649E12 THERMISTOR, NTC; Series:B575; Thermistor type:NTC; Resistance:10kR; Tolerance, resistance:+/-1%; Beta value:3450; Temperature, lower limit, beta value:0(degree C); Temperature, upper limit, beta value:100(degree C); Temp, op. RoHS Compliant: Yes
HB52E649E12-A6B 512 MB Registered SDRAM DIMM 64-Mword 】 72-bit, 100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (18 pcs of 64 M 】 4 Components) PC100 SDRAM
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HB52E169E1-B6 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 SDRAM Module
HB52E169EN-B6 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 SDRAM Module
HB52E328EM-A6B 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256MB Unbuffered SDRAM DIMM
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HB52E329EM-A6B 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256MB Unbuffered SDRAM DIMM
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