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參數資料
| 型號： | HB52E169E12 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 128 MB Registered SDRAM DIMM(128 MB 寄存同步DRAM DIMM) |
| 中文描述： | 128 MB的注冊SDRAM的內存（128 MB的寄存同步的DRAM內存） |
| 文件頁數： | 37/53頁 |
| 文件大小： | 1737K |
| 代理商： | HB52E169E12 |
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HB52E169E12-F
37
When the precharge command is executed for the same bank as the read command that preceded it, the min-
imum interval between the two commands is one clock. However, since the output buffer then becomes
High-Z after the clocks defined by l
HZP
, there is a case of interruption to burst read data output will be inter-
rupted, if the precharge command is input during burst read. To read all data by burst read, the clocks defined
by l
EP
must be assured as an interval from the final data output to precharge command execution.
READ to PRECHARGE Command Interval (same bank): To output all data
CE Latency = 3, Burst Length = 4
CE Latency = 4, Burst Length = 4
READ to PRECHARGE Command Interval (same bank): To stop output data
CE Latency = 3, Burst Length = 1, 2, 4, 8, full page burst
CK
Command
Dout
READ
PRE/PALL
out A0
out A1
out A2
out A3
CL=3
l = -2 cycle
CK
Command
Dout
READ
PRE/PALL
out A0
out A1
out A2
out A3
CL=4
l = -3 cycle
CK
Command
Dout
READ
PRE/PALL
out A0
High-Z
l
HZP
= 3
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| HB52E649EN | 512 MB Unbuffered SDRAM DIMM(512 MB 未緩沖同步DRAM DIMM) |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| HB52E329EM-A6B | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256MB Unbuffered SDRAM DIMM |
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