參數(shù)資料
型號： HB52E169E12
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： 128 MB Registered SDRAM DIMM(128 MB 寄存同步DRAM DIMM)
中文描述： 128 MB的注冊SDRAM的內(nèi)存（128 MB的寄存同步的DRAM內(nèi)存）
文件頁數(shù)： 10/53頁
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代理商： HB52E169E12
HB52E169E12-F
10
I
OL
/I
OH
Characteristics (Component characteristics)
Output Low Current (I
OL
)
Output High Current (I
OH
) (Ta = 0 to 55
°
C, V
CC
= 3.0 V to 3.45 V, V
SS
= 0 V)
I
OL
Min (mA)
0
27
41
51
58
70
72
75
77
77
80
81
I
OL
Max (mA)
0
71
108
134
151
188
194
203
209
212
220
223
Vout (V)
0
0.4
0.65
0.85
1
1.4
1.5
1.65
1.8
1.95
3
3.45
Vout (V)
3.45
3.3
3
2.6
I
OH
Min (mA)
—
—
0
–21
I
OH
Max (mA)
–3
–28
–75
–130
I
O
Vout (V)
250
200
150
100
50
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
min
max
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HB52E648EN 512 MB Unbuffered SDRAM DIMM(512 MB 未緩沖同步DRAM DIMM)
HB52E649EN 512 MB Unbuffered SDRAM DIMM(512 MB 未緩沖同步DRAM DIMM)
HB52E649E12 THERMISTOR, NTC; Series:B575; Thermistor type:NTC; Resistance:10kR; Tolerance, resistance:+/-1%; Beta value:3450; Temperature, lower limit, beta value:0(degree C); Temperature, upper limit, beta value:100(degree C); Temp, op. RoHS Compliant: Yes
HB52E649E12-A6B 512 MB Registered SDRAM DIMM 64-Mword 】 72-bit, 100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (18 pcs of 64 M 】 4 Components) PC100 SDRAM
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