參數(shù)資料
型號(hào): SI3200-BS
廠商: Silicon Laboratories Inc
文件頁(yè)數(shù): 12/128頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述: IC LINEFEED INTRFC 100V 16SOIC
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 48
系列: ProSLIC®
功能: 用戶(hù)線路接口概念(SLIC),CODEC
接口: GCI,PCM,SPI
電路數(shù): 2
電源電壓: 3.3V,5V
電流 - 電源: 110µA
功率(瓦特): 941mW
工作溫度: -40°C ~ 85°C
安裝類(lèi)型: 表面貼裝
封裝/外殼: 16-SOIC(0.154",3.90mm Width)裸露焊盤(pán)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 16-SOIC N
包裝: 管件
包括: 電池切換,BORSCHT 功能,DTMF 生成和解碼,F(xiàn)SK 音調(diào)生成,調(diào)制解調(diào)器和傳真音調(diào)檢測(cè)
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)當(dāng)前第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)第47頁(yè)第48頁(yè)第49頁(yè)第50頁(yè)第51頁(yè)第52頁(yè)第53頁(yè)第54頁(yè)第55頁(yè)第56頁(yè)第57頁(yè)第58頁(yè)第59頁(yè)第60頁(yè)第61頁(yè)第62頁(yè)第63頁(yè)第64頁(yè)第65頁(yè)第66頁(yè)第67頁(yè)第68頁(yè)第69頁(yè)第70頁(yè)第71頁(yè)第72頁(yè)第73頁(yè)第74頁(yè)第75頁(yè)第76頁(yè)第77頁(yè)第78頁(yè)第79頁(yè)第80頁(yè)第81頁(yè)第82頁(yè)第83頁(yè)第84頁(yè)第85頁(yè)第86頁(yè)第87頁(yè)第88頁(yè)第89頁(yè)第90頁(yè)第91頁(yè)第92頁(yè)第93頁(yè)第94頁(yè)第95頁(yè)第96頁(yè)第97頁(yè)第98頁(yè)第99頁(yè)第100頁(yè)第101頁(yè)第102頁(yè)第103頁(yè)第104頁(yè)第105頁(yè)第106頁(yè)第107頁(yè)第108頁(yè)第109頁(yè)第110頁(yè)第111頁(yè)第112頁(yè)第113頁(yè)第114頁(yè)第115頁(yè)第116頁(yè)第117頁(yè)第118頁(yè)第119頁(yè)第120頁(yè)第121頁(yè)第122頁(yè)第123頁(yè)第124頁(yè)第125頁(yè)第126頁(yè)第127頁(yè)第128頁(yè)
Si3232
Preliminary Rev. 0.96
109
Not
fo
r N
ew
D
esi
gn
s
Reset settings = 0x00
RINGAMP: Ringing Amplitude (RAM Address 59)
Bit
D15
D14
D13
D12
D11
D10
D9
D8
D7D6D5
D4D3D2
D1D0
Name
RINGAMP[15:0]
Type
R/W
Bit
Name
Function
15:0
RINGAMP[15:0]
Ringing Amplitude.
This RAM location programs the peak ringing amplitude. Refer to "4.6. Ringing Gen-
RINGFRHI: Ringing Frequency High Byte (RAM Address 57)
Bit
D15
D14
D13
D12
D11
D10
D9
D8
D7D6D5
D4D3D2
D1D0
Name
RINGFRHI[14:0]
Type
R/W
Bit
Name
Function
14:0
RINGFRHI[14:0]
Ringing Frequency High Byte.
This RAM location programs the upper byte of the ringing frequency coefficient. The
RINGFRLO RAM location holds the lower byte. Refer to "4.6. Ringing Generation" on
page 37 for use.
RINGFRLO: Ringing Frequency Low Byte (RAM Address 58)
Bit
D15
D14
D13
D12
D11
D10
D9
D8
D7D6D5
D4D3D2
D1D0
Name
RINGFRLO[15:3]
Type
R/W
Bit
Name
Function
15:3
RINGFRLO[15:3]
Ringing Frequency Low Byte.
This RAM location programs the lower byte of the ringing frequency coefficient. The
RINGFRHI RAM location holds the upper byte. Refer to "4.6. Ringing Generation" on
page 37 for use.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI3211-KT IC SLIC/CODEC PROG 1CH 38TSSOP
SI3216-FT IC SLIC/CODEC 1CH 38TSSOP
SI3225-G-GQ IC PROSLIC/CODEC DUAL 64TQFP
SI3230-KT IC SLIC PROG 1-CH 38TSSOP
SI5010-B-GM IC CLOCK/DATA RECOVERY LP 20-QFN
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI3200-BSR 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:
SI3200-FS 功能描述:電信線路管理 IC 100 V Linefeed Interface IC unit RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:PHY 接口類(lèi)型:UART 電源電壓-最大:18 V 電源電壓-最小:8 V 電源電流:30 mA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:VFQFPN-48 封裝:Tray
SI3200-FSR 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:SLIC 2CH 70DB 45MA 3.3V/5V 16SOIC EP - Tape and Reel
Si3200-G-FS 功能描述:射頻無(wú)線雜項(xiàng) 100 V Linefeed Inter IC unit price RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作頻率:112 kHz to 205 kHz 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:8 mA 最大功率耗散: 工作溫度范圍:- 40 C to + 110 C 封裝 / 箱體:VQFN-48 封裝:Reel
SI3200-G-FSR 功能描述:電信線路管理 IC 100 V Linefeed Interface RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:PHY 接口類(lèi)型:UART 電源電壓-最大:18 V 電源電壓-最小:8 V 電源電流:30 mA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:VFQFPN-48 封裝:Tray