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參數(shù)資料
| 型號： | SI3200-BS |
| 廠商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件頁數(shù)： | 110/128頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC LINEFEED INTRFC 100V 16SOIC |
| 標準包裝： | 48 |
| 系列： | ProSLIC® |
| 功能： | 用戶線路接口概念（SLIC），CODEC |
| 接口： | GCI，PCM，SPI |
| 電路數(shù)： | 2 |
| 電源電壓： | 3.3V，5V |
| 電流 - 電源： | 110µA |
| 功率（瓦特）： | 941mW |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 16-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盤 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 16-SOIC N |
| 包裝： | 管件 |
| 包括： | 電池切換，BORSCHT 功能，DTMF 生成和解碼，F(xiàn)SK 音調(diào)生成，調(diào)制解調(diào)器和傳真音調(diào)檢測 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁當前第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁
Si3232
82
Preliminary Rev. 0.96
Not
Recommended
fo
r N
ew
D
esi
gn
s
Reset settings = 0x00
RAMDATHI: RAM Data—High Byte (Register Address 102)
(Register type: Operational/single value instance for both channels)
Bit
D7D6D5D4D3D2
D1
D0
Name
RAMDAT[15:8]
Type
R/W
Bit
Name
Function
7:0
RAMDAT[15:8]
RAM Data—High Byte.
A write to RAMDAT followed by a write to RAMADDR places the contents of RAMDAT
into a RAM location specified by the RAMADDR at the next memory update (WRITE
operation). Writing RAMADDR loads the data stored in RAMADDR into RAMDAT only at
the next memory update (READ operation).
RAMDATLO: RAM Data—Low Byte (Register Address 101)
(Register type: Operational/single value instance for both channels)
Bit
D7D6D5D4D3D2
D1
D0
Name
RAMDAT[7:0]
Type
R/W
Bit
Name
Function
7:0
RAMDAT[15:8]
RAM Data—Low Byte.
A write to RAMDAT followed by a write to RAMADDR places the contents of RAMDAT
into a RAM location specified by the RAMADDR at the next memory update (WRITE
operation). Writing RAMADDR loads the data stored in RAMADDR only into RAMDAT at
the next memory update (READ operation).
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參數(shù)描述 |
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| SI3200-G-FSR | 功能描述:電信線路管理 IC 100 V Linefeed Interface RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:PHY 接口類型:UART 電源電壓-最大:18 V 電源電壓-最小:8 V 電源電流:30 mA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:VFQFPN-48 封裝:Tray |
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