- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄359755 > S29GL128P11FAIR10 (SPANSION LLC) 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | S29GL128P11FAIR10 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
| 中文描述： | 128M X 1 FLASH 3V PROM, 110 ns, PBGA64 |
| 封裝： | 13 X 11 MM, 1 MM PITCH, FBGA-64 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 63/77頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 2121K |
| 代理商： | S29GL128P11FAIR10 |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)第47頁(yè)第48頁(yè)第49頁(yè)第50頁(yè)第51頁(yè)第52頁(yè)第53頁(yè)第54頁(yè)第55頁(yè)第56頁(yè)第57頁(yè)第58頁(yè)第59頁(yè)第60頁(yè)第61頁(yè)第62頁(yè)當(dāng)前第63頁(yè)第64頁(yè)第65頁(yè)第66頁(yè)第67頁(yè)第68頁(yè)第69頁(yè)第70頁(yè)第71頁(yè)第72頁(yè)第73頁(yè)第74頁(yè)第75頁(yè)第76頁(yè)第77頁(yè)
November 8, 2007 S29GL-P_00_A7
S29GL-P MirrorBit
Flash Family
63
D a t a
S h e e t
( P r e l i m i n a r y )
Figure 11.13
Toggle Bit Timings (During Embedded Algorithms)
Note
A = Valid address; not required for DQ6. Illustration shows first two status cycle after command sequence, last status read cycle, and array data read cycle
CE# does not need to go high between status bit reads
Figure 11.14
DQ2 vs. DQ6
Note
DQ2 toggles only when read at an address within an erase-suspended sector. The system can use OE# or CE# to toggle DQ2 and DQ6.
OE#
CE#
WE#
Addresses
t
OEH
t
DH
t
AHT
t
ASO
t
OEPH
t
OE
Valid Data
(first read)
(second read)
(stops toggling)
t
CEPH
t
AHT
t
AS
DQ2 and DQ6
Valid Data
Valid
Status
Valid
Status
Valid
Status
RY/BY#
Enter
Erase
Erase
Resume
Erase
Enter Erase
Suspend Program
Erase Suspend
Read
Erase Suspend
Read
Erase
Suspend
Program
WE#
DQ6
DQ2
Erase
Complete
Erase
Suspend
Embedded
Erasing
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29GL128P11FAIR12 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL128P11FFI010 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL128P11FFI012 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL128P11FFIR10 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL128P11FFIR12 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S29GL128P11FAIV10 | 制造商:Spansion 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 128MBIT 16MX8/8MX16 110NS 64BGA - Trays |
| S29GL128P11FAIV20 | 制造商:Spansion 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 128MBIT 16MX8/8MX16 110NS 64BGA - Trays |
| S29GL128P11FF.IS4 | 制造商:Spansion 功能描述: |
| S29GL128P11FFI010 | 功能描述:閃存 128Mb 3V 100ns Parallel NOR 閃存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類(lèi)型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類(lèi)型: 接口類(lèi)型:SPI 訪問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| S29GL128P11FFI013 | 制造商:Spansion 功能描述:FLASH MEMORY - Tape and Reel |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。