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參數資料
| 型號： | S29GL128P11FAIR10 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
| 中文描述： | 128M X 1 FLASH 3V PROM, 110 ns, PBGA64 |
| 封裝： | 13 X 11 MM, 1 MM PITCH, FBGA-64 |
| 文件頁數： | 57/77頁 |
| 文件大?。?/td> | 2121K |
| 代理商： | S29GL128P11FAIR10 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁當前第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁
November 8, 2007 S29GL-P_00_A7
S29GL-P MirrorBit
Flash Family
57
D a t a
S h e e t
( P r e l i m i n a r y )
Figure 11.5
Read Operation Timings
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Page Read Timings
Note
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29GL128P11FAIR12 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL128P11FFI010 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL128P11FFI012 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL128P11FFIR10 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL128P11FFIR12 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| S29GL128P11FAIV10 | 制造商:Spansion 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 128MBIT 16MX8/8MX16 110NS 64BGA - Trays |
| S29GL128P11FAIV20 | 制造商:Spansion 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 128MBIT 16MX8/8MX16 110NS 64BGA - Trays |
| S29GL128P11FF.IS4 | 制造商:Spansion 功能描述: |
| S29GL128P11FFI010 | 功能描述:閃存 128Mb 3V 100ns Parallel NOR 閃存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| S29GL128P11FFI013 | 制造商:Spansion 功能描述:FLASH MEMORY - Tape and Reel |
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