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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | S29GL064N11BAIV12 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | 64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology |
| 中文描述： | 64兆，32兆位3.0伏只頁(yè)面模式閃存具有110納米MirrorBit工藝技術(shù) |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 66/79頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 2191K |
| 代理商： | S29GL064N11BAIV12 |
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66
S29GL-N MirrorBit
Flash Family
S29GL-N_01_09 November 16, 2007
D a t a
S h e e t
Note
Not 100% tested.
Figure 15.4
Reset Timings
Notes
1. Not 100% tested.
2. See the
Erase And Programming Performance on page 73
for more information.
3. For 1–16 words/1–32 bytes programmed.
Table 15.2
Hardware Reset (RESET#)
Parameter
Description
All Speed Options
Unit
JEDEC
Std.
t
Ready
RESET# Pin Low (During Embedded Algorithms) to Read Mode
(See Note)
Max
20
μ
s
t
Ready
RESET# Pin Low (NOT During Embedded Algorithms) to Read Mode
(See Note)
Max
500
ns
t
RP
t
RH
t
RPD
t
RB
RESET# Pulse Width
Min
500
ns
Reset High Time Before Read
(See Note)
Min
50
ns
RESET# Input Low to Standby Mode
(See Note)
Min
20
μs
RY/BY# Output High to CE#, OE# pin Low
Min
0
ns
RESET#
RY/BY#
RY/BY#
t
RP
t
Ready
Reset Timings NOT during Embedded Algorithms
t
Ready
CE#, OE#
t
RH
CE#, OE#
Reset Timings during Embedded Algorithms
RESET#
t
RP
t
RB
t
RH
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PDF描述 |
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| S29GL064N11FFIV10 | 功能描述:閃存 64Mb 3V 110ns Parallel NOR 閃存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線(xiàn)寬度:1 bit 存儲(chǔ)類(lèi)型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類(lèi)型: 接口類(lèi)型:SPI 訪問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| S29GL064N11FFIV20 | 制造商:Spansion 功能描述: |
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