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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | S29GL064N11BAIV12 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | 64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology |
| 中文描述： | 64兆，32兆位3.0伏只頁面模式閃存具有110納米MirrorBit工藝技術(shù) |
| 文件頁數(shù)： | 39/79頁 |
| 文件大?。?/td> | 2191K |
| 代理商： | S29GL064N11BAIV12 |
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November 16, 2007 S29GL-N_01_09
S29GL-N MirrorBit
Flash Family
39
D a t a
S h e e t
Table 9.3
Device Geometry Definition
Addresses (x16)
Addresses (x8)
Data
Description
Device Size = 2
N
byte
0017h = 64 Mb, 0016h = 32 Mb
27h
4Eh
00xxh
28h
29h
50h
52h
000xh
0000h
Flash Device Interface description (refer to CFI publication 100)
0001h = x16-only bus devices
0002h = x8/x16 bus devices
Max. number of byte in multi-byte write = 2
N
(00h = not supported)
2Ah
2Bh
54h
56h
0005h
0000h
2Ch
58h
00xxh
Number of Erase Block Regions within device (01h = uniform device,
02h = boot device)
2Dh
2Eh
2Fh
30h
5Ah
5Ch
5Eh
60h
00xxh
000xh
00x0h
000xh
Erase Block Region 1 Information
(refer to the CFI specification or CFI publication 100)
007Fh, 0000h, 0000h, 0001h = 64 Mb (01, 02, 06, 07, V1, V2, V6, V7)
0007h, 0000h, 0020h, 0000h = 64 Mb (03, 04)
003Fh, 0000h, 0000h, 0001h = 32 Mb (01, 02, V1, V2)
0007h, 0000h, 0020h, 0000h = 32 Mb (03, 04)
31h
32h
33h
34h
60h
64h
66h
68h
00xxh
0000h
0000h
000xh
Erase Block Region 2 Information (refer to CFI publication 100)
0000h, 0000h, 0000h, 0000h = 64 Mb (01, 02, 06, 07, V1, V2, V6, V7)
007Eh, 0000h, 0000h, 0001h = 64 Mb (03, 04)
0000h, 0000h, 0000h, 0000h = 32 Mb (01, 02, V1, V2)
003Eh, 0000h, 0000h, 0001h = 32 Mb (03, 04)
35h
36h
37h
38h
6Ah
6Ch
6Eh
70h
0000h
0000h
0000h
0000h
Erase Block Region 3 Information (refer to CFI publication 100)
39h
3Ah
3Bh
3Ch
72h
74h
76h
78h
0000h
0000h
0000h
0000h
Erase Block Region 4 Information (refer to CFI publication 100)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| S29GL064N11DFIV10 | 制造商:Spansion 功能描述:IC,EEPROM,NOR FLASH,4MX16/8MX8,CMOS,BGA,64PIN,PLASTIC - Trays |
| S29GL064N11DFIV20 | 制造商:Spansion 功能描述:64M NOR FLASH - Trays |
| S29GL064N11FFIV10 | 功能描述:閃存 64Mb 3V 110ns Parallel NOR 閃存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| S29GL064N11FFIV20 | 制造商:Spansion 功能描述: |
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