型號: | S29GL064N11BAIV12 |
廠商: | Spansion Inc. |
英文描述: | 64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology |
中文描述: | 64兆,32兆位3.0伏只頁面模式閃存具有110納米MirrorBit工藝技術(shù) |
文件頁數(shù): | 10/79頁 |
文件大小: | 2191K |
代理商: | S29GL064N11BAIV12 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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S29GL064N11BAIV20 | 64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology |
S29GL064N11BAIV22 | 64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology |
S29GL064N11BAIV60 | 64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology |
S29GL064N11BAIV62 | 64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology |
S29GL064N11BFI010 | 64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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S29GL064N11DAIV10 | 制造商:Spansion 功能描述:64M (4MX16) 3V REG, MIRRORBIT, - Trays |
S29GL064N11DFIV10 | 制造商:Spansion 功能描述:IC,EEPROM,NOR FLASH,4MX16/8MX8,CMOS,BGA,64PIN,PLASTIC - Trays |
S29GL064N11DFIV20 | 制造商:Spansion 功能描述:64M NOR FLASH - Trays |
S29GL064N11FFIV10 | 功能描述:閃存 64Mb 3V 110ns Parallel NOR 閃存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
S29GL064N11FFIV20 | 制造商:Spansion 功能描述: |