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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | RJ80530MY650256 |
| 元件分類(lèi)： | 微處理器 |
| 英文描述： | MICROPROCESSOR|32-BIT|CMOS|BGA|479PIN|CERAMIC |
| 中文描述： | 微處理器| 32位|的CMOS | BGA封裝| 479PIN |陶瓷 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 33/89頁(yè) |
| 文件大小： | 1672K |
| 代理商： | RJ80530MY650256 |
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Mobile Intel
Pentium
III Processor-M Datasheet
298340-002
Datasheet
33
Table 16. AGTL Signal Group DC Specifications
Symbol
Parameter
Min
Max
Unit
Notes
V
IL
Input Low Voltage
-0.15
V
REF
-0.2
V
V
IH
Input High Voltage
V
REF
+0.2 V
CCT
V
See V
CCT,max
in Table
17
V
OH
Output High Voltage
—
—
V
See V
CCT,max
in Table
17
R
ON
Output Low Drive Strength
16.67
Note 2
I
L
NOTES:
1.
Specification applies to leakage high only, for pins with on die R
TT
, (0 < V
IN/OUT
≤
V
CCT
).
2.
Refer to IBIS models for I/V characteristics.
Leakage Current for Inputs, Outputs and I/Os
100
μ
A
Note 1
Table 17. AGTL Bus DC Specifications
Symbol
Parameter
Min
Typ
Max
Unit
Notes
V
CCT
Bus Termination Voltage
1.25
V
Note 1
V
REF
Input Reference Voltage
2
/
3
V
CCT
– 2%
2
/
3
V
CCT
2
/
3
V
CCT
+ 2% V
±2%, Note 2
R
TT
Bus Termination Strength
50
56
65
On-die R
TT
, Note 3
NOTES:
1.
Please refer to Table 9 for minimum and maximum values.
2.
V
REF
should be created from V
CCT
by a voltage divider.
3.
The RESET# signal does not have an on-die R
TT
. It requires an off-die 56.2
±1% terminating resistor
connected to V
CCT
.
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