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參數(shù)資料
| 型號： | HYB18L256160B |
| 廠商： | QIMONDA |
| 英文描述： | DRAMs for Mobile Applications 256-Mbit Mobile-RAM |
| 中文描述： | DRAM的針對移動應用256兆移動RAM |
| 文件頁數(shù)： | 52/58頁 |
| 文件大?。?/td> | 1766K |
| 代理商： | HYB18L256160B |
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Data Sheet
Rev. 1.73, 2006-09
01302004-CZ2R-J9SE
52
HY[B/E]18L256160B[C/F]L-7.5
256-Mbit Mobile-RAM
TABLE 28
Self Refresh Currents
Parameter & Test Conditions
Max.
Temperature
Symbol
Values for
HY[B/E]256160B[C/F]
Values for
HYE256160B[C/F]L
Units Note
1)2)
1) 0
°
C
≤
T
C
≤
70
°
C (comm.); -25
°
C
≤
T
C
≤
85
°
C (ext.);
V
DD
=
V
DDQ
= 1.65V to 1.95V
2) The On-Chip Temperature Sensor (OCTS) adjusts the refresh rate in self refresh mode to the component’s actual temperature with a much
finer resolution than supported by the 4 distinct temperature levels as defined by JEDEC for TCSR. At production test the sensor is
calibrated, and IDD6 max. current is measured at 85°C. Typ. values are obtained from device characterization.
typ.
max.
typ.
max.
Self Refresh Current:
Self refresh mode,
full array activation
(PASR = 000)
85
°
C
70
°
45 °C
25 °C
85
°
C
70 °C
45 °C
25 °C
85
°
C
70 °C
45 °C
25 °C
I
DD6
510
340
225
205
400
285
200
180
340
250
185
170
600
–
–
–
470
–
–
–
400
–
–
–
430
285
190
175
305
220
155
140
245
180
135
120
450
–
–
–
320
–
–
–
260
–
–
–
μ
A
Self Refresh Current:
Self refresh mode,
half array activation
(PASR = 001)
Self Refresh Current:
Self refresh mode,
quarter array activation
(PASR = 010)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYMP112S64LMP8-C4 | DDR2 SDRAM SO-DIMM |
| HYMP112S64LMP8-C5 | DDR2 SDRAM SO-DIMM |
| HYMP112S64LMP8-E3 | BNC FEMALE TO RCA MALE COUPLER |
| HYMP112S64LMP8-E4 | DDR2 SDRAM SO-DIMM |
| HYMP112S64MP8 | SHIELDED, RJ45 TO DB25 ADP, P |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB18L256160BC-7.5 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:BJAWBMSpecialty DRAMs Mobile-RAM |
| HYB18L256160BC-75 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:DRAMs for Mobile Applications |
| HYB18L256160BCL-7.5 | 制造商:QIMONDA 制造商全稱:QIMONDA 功能描述:DRAMs for Mobile Applications 256-Mbit Mobile-RAM |
| HYB18L256160BCX-7.5 | 制造商:QIMONDA 制造商全稱:QIMONDA 功能描述:DRAMs for Mobile Applications 256-Mbit Mobile-RAM |
| HYB18L256160BF | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:DRAMs for Mobile Applications |
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