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參數(shù)資料
| 型號： | HYB18L256160B |
| 廠商： | QIMONDA |
| 英文描述： | DRAMs for Mobile Applications 256-Mbit Mobile-RAM |
| 中文描述： | DRAM的針對移動應(yīng)用256兆移動RAM |
| 文件頁數(shù)： | 2/58頁 |
| 文件大小： | 1766K |
| 代理商： | HYB18L256160B |
第1頁當(dāng)前第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁
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Data Sheet
HY[B/E]18L256160B[C/F]L-7.5
256-Mbit Mobile-RAM
qag_techdoc_rev400 / 3.2 QAG / 2006-07-21
01302004-CZ2R-J9SE
2
HYB18L256160B[C/F]-7.5, HYE18L256160B[C/F]-7.5, HYE18L256160BCL-7.5, HYE18L256160BFL-7.5
Revision History: 2006-09, Rev. 1.73
Page
Subjects (major since last revision)
All
Previous Revision: 2005-07, Rev. 1.72
added disclaimer
53
Rev. 1.71: deleted -BCX and BFX product types
Previous Revision: Rev. 1. 61
29
Table 25
: Updated
8
Chapter 2.1
: added to note 6: Programming of the Extended Mode Register...
12
Extended Mode Register table: Editorial changes
Chapter 2.2.1.6
: Editorial change
42
Chapter 2.4.9.2
: replaced last paragraph by: If during normal operation...
15, 29, 50
Table 9
,
Table 13
and
Table 26
: tIH changed
Table 26
: note 7 changed: If tT > 1ns, a value of [0.5 x (tT -1)] ns...
Table 25
: editorial changes
Previous Revision: Rev. 1.6
Qimonda update
相關(guān)PDF資料 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| HYB18L256160BF | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:DRAMs for Mobile Applications |
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