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參數(shù)資料
| 型號： | HYB18L256160B |
| 廠商： | QIMONDA |
| 英文描述： | DRAMs for Mobile Applications 256-Mbit Mobile-RAM |
| 中文描述： | DRAM的針對移動應用256兆移動RAM |
| 文件頁數(shù)： | 26/58頁 |
| 文件大?。?/td> | 1766K |
| 代理商： | HYB18L256160B |
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Data Sheet
Rev. 1.73, 2006-09
01302004-CZ2R-J9SE
26
HY[B/E]18L256160B[C/F]L-7.5
256-Mbit Mobile-RAM
2.4.5.4
READ to WRITE
A READ burst may be followed by or truncated with a WRITE command. The WRITE command can be performed to the same
or a different (active) bank. Care must be taken to avoid bus contention on the DQs; therefore it is recommended that the DQs
are held in High-Z state for a minimum of 1 clock cycle. This can be achieved by either delaying the WRITE command, or
suppressing the data-out from the READ by pulling DQM HIGH two clock cycles prior to the WRITE command, as shown in
Figure 21
. With the registration of the WRITE command, DQM acts as a write mask: when asserted HIGH, input data will be
masked and no write will be performed.
FIGURE 21
READ to WRITE Timing
%D $ &RO Q E EDQN $ FROXPQ Q E
'2 Q 'DWD 2XW IURP FROXPQ Q ', E 'DWD ,Q WR FROXPQ E
'40 LV DVVHUWHG +,*+ WR VHW '4V WR +LJK = VWDWH IRU
FORFN F\FOH SULRU WR WKH :5,7( FRPPDQG
'RQW &DUH
&/.
&/
&/
&RPPDQG
123
5($'
123
123
123
123
123
:5,7(
$G GUHVV
&RO E
&RO Q
'40
'4
'2 Q
', E
' , E
'2 Q
+LJK =
', E
'4
', E
' , E
'2 Q
+LJK =
', E
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYMP112S64LMP8-C4 | DDR2 SDRAM SO-DIMM |
| HYMP112S64LMP8-C5 | DDR2 SDRAM SO-DIMM |
| HYMP112S64LMP8-E3 | BNC FEMALE TO RCA MALE COUPLER |
| HYMP112S64LMP8-E4 | DDR2 SDRAM SO-DIMM |
| HYMP112S64MP8 | SHIELDED, RJ45 TO DB25 ADP, P |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB18L256160BC-7.5 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:BJAWBMSpecialty DRAMs Mobile-RAM |
| HYB18L256160BC-75 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:DRAMs for Mobile Applications |
| HYB18L256160BCL-7.5 | 制造商:QIMONDA 制造商全稱:QIMONDA 功能描述:DRAMs for Mobile Applications 256-Mbit Mobile-RAM |
| HYB18L256160BCX-7.5 | 制造商:QIMONDA 制造商全稱:QIMONDA 功能描述:DRAMs for Mobile Applications 256-Mbit Mobile-RAM |
| HYB18L256160BF | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:DRAMs for Mobile Applications |
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