參數(shù)資料
型號(hào)： HY27US08121B-TPIS
廠商： HYNIX SEMICONDUCTOR INC
元件分類(lèi)： PROM
英文描述： 64M X 8 FLASH 3.3V PROM, 18 ns, PDSO48
封裝： 12 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, TSOP1-48
文件頁(yè)數(shù)： 35/40頁(yè)
文件大?。?/td> 360K
代理商： HY27US08121B-TPIS
Rev 0.5 / Jul. 2007
40
HY27US(08/16)12(1/2)B Series
512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash
MARKING INFORMATION - FBGA
Packag
M arking Exam ple
FB G A
K
O
R
H
Y
2
7
U
S
0
8
1
2
x
B
x
Y
W
x
- hynix
- K O R
- H Y 27 U 0812xB xxxx
H Y : Hynix
2 7: NAND Flash
U: Pow er Supply
S: Classification
08: Bit O rganization
12: Density
x: Mode
B: Version
x: Package Type
x: Package M aterial
x: O perating Tem perature
x: Bad Block
- Y : Year (ex: 5= year 2005, 06= year 2006)
- w w : W ork W eek (ex: 12= w ork w eek 12)
- xx: Process Code
Note
- C apital Letter
- Sm all Letter
: H ynix Sym bol
: O rigin Country
: U(2.7V~ 3.6V)
: Single Level Cell+ Single D ie+ Sm all Block
: 08(x8)
: 512M bit
: 1nCE & 1R/nB; Sequential R ow Read Enable
: 1nCE & 1R/nB; Sequential R ow Read D isable
: 3rd G eneration
: F(63FBG A)
: Blank(N orm al), P(Lead Free)
: C(0℃ ~70℃ ), I(-40℃ ~85℃ )
: B(Included Bad Block), S(1~ 5 Bad Block),
P(All G ood Block)
: Fixed Item
: N on-fixed Item
: Part N um ber
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HY27US08121B-FIB 64M X 8 FLASH 3.3V PROM, 18 ns, PBGA63
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HY27US081G1MTCS 128M X 8 FLASH 2.7V PROM, 45 ns, PDSO48
HY27US081G1MTPMP 128M X 8 FLASH 2.7V PROM, 45 ns, PDSO48
HY5116100BJ-70 16M X 1 FAST PAGE DRAM, 70 ns, PDSO24
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HY27US08121M 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash
HY27US08122B 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash
HY27US081G1M 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash
HY27US08281A 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:128Mbit (16Mx8bit / 8Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27US08282A 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:128Mbit (16Mx8bit / 8Mx16bit) NAND Flash Memory
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