參數(shù)資料
型號(hào)： HY27US08121B-TPIS
廠商： HYNIX SEMICONDUCTOR INC
元件分類： PROM
英文描述： 64M X 8 FLASH 3.3V PROM, 18 ns, PDSO48
封裝： 12 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, TSOP1-48
文件頁(yè)數(shù)： 32/40頁(yè)
文件大小： 360K
代理商： HY27US08121B-TPIS
Rev 0.5 / Jul. 2007
38
HY27US(08/16)12(1/2)B Series
512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash
Symbol
Millimeters
Min
Typ
Max
A
0.80
0.90
1.00
A1
0.25
0.30
0.35
A2
0.55
0.60
0.65
b
0.40
0.45
0.50
D
8.90
9.00
9.10
D1
4.00
D2
7.20
E
10.90
11.00
11.10
E1
5.60
E2
8.80
e0.80
FD
2.50
FD1
0.90
FE
2.70
FE1
1.10
SD
0.40
SE
0.40
Figure 33. 63-ball FBGA - 9 x 11 ball array 0.8mm pitch, Pakage Outline
NOTE: Drawing is not to scale.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HY27US08121B-FIB 64M X 8 FLASH 3.3V PROM, 18 ns, PBGA63
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HY27US081G1MTCS 128M X 8 FLASH 2.7V PROM, 45 ns, PDSO48
HY27US081G1MTPMP 128M X 8 FLASH 2.7V PROM, 45 ns, PDSO48
HY5116100BJ-70 16M X 1 FAST PAGE DRAM, 70 ns, PDSO24
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HY27US08121M 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash
HY27US08122B 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash
HY27US081G1M 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash
HY27US08281A 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128Mbit (16Mx8bit / 8Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27US08282A 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128Mbit (16Mx8bit / 8Mx16bit) NAND Flash Memory
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