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參數(shù)資料
| 型號： | HY27US08121B-TPIS |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 64M X 8 FLASH 3.3V PROM, 18 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, TSOP1-48 |
| 文件頁數(shù)： | 31/40頁 |
| 文件大小： | 360K |
| 代理商： | HY27US08121B-TPIS |
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Rev 0.5 / Jul. 2007
37
HY27US(08/16)12(1/2)B Series
512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash
Symbol
millimeters
Min
Typ
Max
A
0.650
A1
0
0.050
0.080
A2
0.470
0.520
0.570
B
0.130
0.160
0.230
C
0.065
0.100
0.175
C1
0.450
0.650
0.750
CP
0.100
D
16.900
17.000
17.100
D1
11.910
12.000
12.120
E
15.300
15.400
15.500
e
0.500
alpha
0
8
Figure 32. 48pin-USOP1, 12 x 17mm, Package Outline
Table 20: 48pin-USOP1, 12 x 17mm, Package Mechanical Data
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY27US08121B-FIB | 64M X 8 FLASH 3.3V PROM, 18 ns, PBGA63 |
| HY27US081G1MSES | 128M X 8 FLASH 2.7V PROM, 45 ns, PDSO48 |
| HY27US081G1MTCS | 128M X 8 FLASH 2.7V PROM, 45 ns, PDSO48 |
| HY27US081G1MTPMP | 128M X 8 FLASH 2.7V PROM, 45 ns, PDSO48 |
| HY5116100BJ-70 | 16M X 1 FAST PAGE DRAM, 70 ns, PDSO24 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY27US08121M | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash |
| HY27US08122B | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash |
| HY27US081G1M | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash |
| HY27US08281A | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128Mbit (16Mx8bit / 8Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27US08282A | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128Mbit (16Mx8bit / 8Mx16bit) NAND Flash Memory |
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