參數(shù)資料
型號(hào)： HY27SA081G1M-VPEB
廠(chǎng)商： HYNIX SEMICONDUCTOR INC
元件分類(lèi)： PROM
英文描述： 128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 12000 ns, PDSO48
封裝： 12 X 17 MM, 0.70 MM HEIGHT, LEAD FREE, WSOP1-48
文件頁(yè)數(shù)： 42/45頁(yè)
文件大小： 675K
代理商： HY27SA081G1M-VPEB
Rev 0.3 / May. 2004
6
Preliminary
HY27UA(08/16)1G1M Series
HY27SA(08/16)1G1M Series
1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash
Figure 5. 63-FBGA Contactions, x8 Device (Top view through package)
Figure 6. 63-FBGA Contactions, x16 Device (Top view through package)
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ALE
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CE
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NC
I/O5
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I/O1
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I/O6 I/O15
VSS
I/O2
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I/O4
I/O13
VSS
NC
10
9
8
7
J
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I/O7
I/O8
I/O10
I/O12 I/O14
I/O0
I/O9
I/O3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HY27UA081G1M-TIB 128M X 8 FLASH 3.3V PROM, 12000 ns, PDSO48
HY27US08121B-TPIS 64M X 8 FLASH 3.3V PROM, 18 ns, PDSO48
HY27US08121B-FIB 64M X 8 FLASH 3.3V PROM, 18 ns, PBGA63
HY27US081G1MSES 128M X 8 FLASH 2.7V PROM, 45 ns, PDSO48
HY27US081G1MTCS 128M X 8 FLASH 2.7V PROM, 45 ns, PDSO48
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HY27SA161G1M 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27SA1G1M 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27SAXXX 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27SF081G2A 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash
HY27SF081G2A-F(P) 制造商:SK Hynix Inc 功能描述:
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