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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY27SA081G1M-VPEB |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 12000 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 17 MM, 0.70 MM HEIGHT, LEAD FREE, WSOP1-48 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 31/45頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 675K |
| 代理商： | HY27SA081G1M-VPEB |
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Rev 0.3 / May. 2004
38
Preliminary
HY27UA(08/16)1G1M Series
HY27SA(08/16)1G1M Series
1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash
Figure 29. Page Program AC Waveform
I/O
WE
CE
CLE
ALE
RE
RB
N
Last
10h
70h
SR0
tWLWL
(Write Cycle time)
tWLWL
tWHBL
tBLBH2
(Program Busy time)
Address Input
Data Input
Confirm
Code
Page
Program
Read Status
Register
80h
Add. N
cycle 1
Add. N
cycle 2
Add. N
cycle 3
Page Program
Setup Code
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY27UA081G1M-TIB | 128M X 8 FLASH 3.3V PROM, 12000 ns, PDSO48 |
| HY27US08121B-TPIS | 64M X 8 FLASH 3.3V PROM, 18 ns, PDSO48 |
| HY27US08121B-FIB | 64M X 8 FLASH 3.3V PROM, 18 ns, PBGA63 |
| HY27US081G1MSES | 128M X 8 FLASH 2.7V PROM, 45 ns, PDSO48 |
| HY27US081G1MTCS | 128M X 8 FLASH 2.7V PROM, 45 ns, PDSO48 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY27SA161G1M | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27SA1G1M | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27SAXXX | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27SF081G2A | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash |
| HY27SF081G2A-F(P) | 制造商:SK Hynix Inc 功能描述: |
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