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參數(shù)資料
| 型號： | HY27SA081G1M-VPEB |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 12000 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 17 MM, 0.70 MM HEIGHT, LEAD FREE, WSOP1-48 |
| 文件頁數(shù)： | 27/45頁 |
| 文件大?。?/td> | 675K |
| 代理商： | HY27SA081G1M-VPEB |
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Rev 0.3 / May. 2004
34
Preliminary
HY27UA(08/16)1G1M Series
HY27SA(08/16)1G1M Series
1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash
Figure 22. Address Latch AC Waveforms
Figure 23. Data Input Latch AC Waveforms
I/O
WE
CE
CLE
ALE
Address
cycle 1
Address
cycle 3
Address
cycle 2
Address
cycle 4
tCLLWL
(CLE Setup time)
tELWL
(CE Setup time)
tWLWL
tWLWH
tALHWL
(ALE Setup time)
tWHWL
tWHALL
(ALE Hold time)
tWHALL
tDVWH
(Data Setup time)
tDVWH
tWHDX
(Data Hold time)
tWHDX
I/O
WE
CE
Data In 0
Data In 1
Data In
Last
tWHCLH
(CLE Hold time)
tWHEH
(CE Hold time)
tWLWH
tWLWL
tALLWL
(ALE Setup time)
tWLWH
tDVWH
(Data Setup time)
tDVWH
tWHDX
(Data Hold time)
tWHDX
CLE
ALE
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY27UA081G1M-TIB | 128M X 8 FLASH 3.3V PROM, 12000 ns, PDSO48 |
| HY27US08121B-TPIS | 64M X 8 FLASH 3.3V PROM, 18 ns, PDSO48 |
| HY27US08121B-FIB | 64M X 8 FLASH 3.3V PROM, 18 ns, PBGA63 |
| HY27US081G1MSES | 128M X 8 FLASH 2.7V PROM, 45 ns, PDSO48 |
| HY27US081G1MTCS | 128M X 8 FLASH 2.7V PROM, 45 ns, PDSO48 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY27SA161G1M | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27SA1G1M | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27SAXXX | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27SF081G2A | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash |
| HY27SF081G2A-F(P) | 制造商:SK Hynix Inc 功能描述: |
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