參數(shù)資料
型號： HY27SA081G1M-VPEB
廠商： HYNIX SEMICONDUCTOR INC
元件分類： PROM
英文描述： 128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 12000 ns, PDSO48
封裝： 12 X 17 MM, 0.70 MM HEIGHT, LEAD FREE, WSOP1-48
文件頁數(shù)： 37/45頁
文件大?。?/td> 675K
代理商： HY27SA081G1M-VPEB
Rev 0.3 / May. 2004
43
Preliminary
HY27UA(08/16)1G1M Series
HY27SA(08/16)1G1M Series
1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash
Table 16: 48-TSOP1 - 48-lead Plastic Thin Small Outline, 12 x 20mm, Package Mechanical Data
Symbol
millimeters
inches
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
A
1.200
0.0472
A1
0.050
0.100
0.150
0.0020
0.0039
0.0059
A2
0.950
1.000
1.050
0.0374
0.0394
0.0413
B
0.170
0.220
0.270
0.0067
0.0087
0.0106
C
0.100
0.210
0.0039
0.0083
CP
0.080
0.0031
D1
11.900
12.000
12.100
0.4685
0.4724
0.4764
E
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20.000
20.200
0.7795
0.7874
0.7953
E1
18.300
18.400
18.500
0.7205
0.7244
0.7283
e
-
0.500
-
0.0197
-
L
0.500
0.600
0.700
0.0197
0.0236
0.0276
L1
-
0.800
-
0.0315
-
alpha
0
3
503
5
Figure 36. 48-TSOP1 - 48-lead Plastic Thin Small Outline, 12 x 20mm, Package Outline
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HY27UA081G1M-TIB 128M X 8 FLASH 3.3V PROM, 12000 ns, PDSO48
HY27US08121B-TPIS 64M X 8 FLASH 3.3V PROM, 18 ns, PDSO48
HY27US08121B-FIB 64M X 8 FLASH 3.3V PROM, 18 ns, PBGA63
HY27US081G1MSES 128M X 8 FLASH 2.7V PROM, 45 ns, PDSO48
HY27US081G1MTCS 128M X 8 FLASH 2.7V PROM, 45 ns, PDSO48
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HY27SA161G1M 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27SA1G1M 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27SAXXX 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27SF081G2A 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash
HY27SF081G2A-F(P) 制造商:SK Hynix Inc 功能描述:
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