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參數(shù)資料
| 型號： | GS8170S72 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 16Mb（256K x 72Bit）Synchronous SRAM(16M位（256K x 72位）同步靜態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 16Mb的（256 × 72Bit）同步SRAM（1,600位（256 × 72位）同步靜態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 12/38頁 |
| 文件大小： | 934K |
| 代理商： | GS8170S72 |
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Rev: 1.01 11/2000
Specifications cited are design targets and are subject to change without notice. For latest documentation contact your GSI representative.
12/38
2000, Giga Semiconductor, Inc.
A
Advanced Information
GS8170S18/36/72B-333/300/275/250
Byte Write Control
The Byte Write Enable inputs (B
X
) determine which bytes will be written. All or none may be activated. A Write Cycle with no
Byte Write inputs active is a no-op cycle.
Byte Write Truth Table
Function
W
B
A
X
L
H
H
H
L
H
B
B
X
H
L
H
H
L
H
B
C
X
H
H
L
H
L
H
B
D
X
H
H
H
L
L
H
Read
H
L
L
L
L
L
L
Write Byte A
Write Byte B
Write Byte C
Write Byte D
Write all Bytes
Write Abort/NOP
DD
Read
Write
Read
Write
Read
C
D
F
E
CK
Address
A
B
/E
1
/W
DQ
QA
CQ
Key
QC
Hi-Z
Access
DB
Sigma Double Late Write with Pipelined Read
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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