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參數資料
| 型號： | GS8170S72 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 16Mb（256K x 72Bit）Synchronous SRAM(16M位（256K x 72位）同步靜態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 16Mb的（256 × 72Bit）同步SRAM（1,600位（256 × 72位）同步靜態(tài)內存） |
| 文件頁數： | 11/38頁 |
| 文件大?。?/td> | 934K |
| 代理商： | GS8170S72 |
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Rev: 1.01 11/2000
Specifications cited are design targets and are subject to change without notice. For latest documentation contact your GSI representative.
11/38
2000, Giga Semiconductor, Inc.
A
Advanced Information
GS8170S18/36/72B-333/300/275/250
.
Late Write
In Late Write mode the RAM requires Data In one rising clock edge later than the edge used to load Address and Control. Late
Write protocol has been employed on SRAMs designed for RISC processor L2 cache applications and in Flow Through mode NBT
SRAMs.
Double Late Write
Double Late Write means that Data In is required on the third rising edge of clock. Double Late Write is used to implement
Pipeline mode NBT SRAMs.
Read
Deselect
Write
Key
QD
QA
DC
Read
Read
C
D
E
F
Access
CK
Address
A
XX
/E
1
/W
DQ
CQ
Hi-Z
Sigma Late Write with Pipelined Read
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PDF描述 |
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