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參數(shù)資料
| 型號： | 28F640J5 |
| 英文描述： | Dual-Slot, PCMCIA Analog Power Controller |
| 中文描述： | 28F640J5 -英特爾StrataFlash內(nèi)存技術(shù)，32和64兆比特 |
| 文件頁數(shù)： | 49/53頁 |
| 文件大?。?/td> | 306K |
| 代理商： | 28F640J5 |
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E
INTEL
StrataFlash MEMORY TECHNOLOGY, 32 AND 64 MBIT
49
PRELIMINARY
A
IN
A
IN
A
B
C
D
E
F
W15
D
IN
W11
W10
Valid
SRD
D
IN
D
IN
W13
W14
W7
W3
W4
High Z
W2
W9
W16
W12
W6
W1
W5
W8
V
IH
V
IL
ADDRESSES [A]
Disabled (V
IH
)
Enabled (V
IL
)
CE
X
, (WE#) [E(W)]
V
IH
V
IL
OE# [G]
Disabled (V
IH
)
Enabled (V
IL
)
WE#, (CE
) [W(E)]
V
IH
V
IL
DATA [D/Q]
V
OH
V
OL
V
HH
STS [R]
V
IH
V
IL
RP# [P]
V
PENLK
V
IL
V
PEN
[V]
V
PENH
0606_17
NOTES:
CE
X
low is defined as the first edge of CE
0
, CE
1
, or CE
2
that enables the device. CE
X
high is defined at the first edge of CE
0
,
CE
1
, or CE
2
that disables the device (see Table 2, Chip Enable Truth Table.
STS is shown in its default mode (RY/BY#).
1.
V
CC
power-up and standby.
2.
Write block erase, write buffer, or program setup.
3.
Write block erase or write buffer confirm, or valid address and data.
4.
Automated erase delay.
5.
Read status register or query data.
6.
Write Read Array command.
Figure 17. AC Waveform for Write Operations
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 28LV010RT2DB20 | 3.3V 1 Megabit (128K x 8-Bit) EEPROM |
| 28LV010 | 3.3V 1 Megabit (128K x 8-Bit) EEPROM |
| 28LV010RPDB20 | 3.3V 1 Megabit (128K x 8-Bit) EEPROM |
| 28LV010RPDB25 | 3.3V 1 Megabit (128K x 8-Bit) EEPROM |
| 28LV010RPDE20 | 3.3V 1 Megabit (128K x 8-Bit) EEPROM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 28F640L18 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:StrataFlash Wireless Memory |
| 28F640L30 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:1.8 Volt Intel StrataFlash㈢ Wireless Memory with 3.0-Volt I/O (L30) |
| 28F640P3 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Embedded Memory |
| 28F640W30 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) |
| 28F650 | 制造商:Cinch Connectors 功能描述:1 Lug Terminal Strip |
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