型號: | V29C51400B |
廠商: | Mosel Vitelic, Corp. |
英文描述: | High Speed 4 MEGA Bit 5 Volt CMOS Flash Memory(高速4M位5V CMOS閃速存儲器) |
中文描述: | 高速4兆的5伏的CMOS閃存(高速分位5V的CMOS閃速存儲器) |
文件頁數(shù): | 6/16頁 |
文件大?。?/td> | 76K |
代理商: | V29C51400B |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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V29LC51000 | 512 KILOBIT 65,536 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY |
V29LC51001 | 1 MEGABIT 131,072 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY |
V29LC51002 | 2 MEGABIT 262,144 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY |
V300A48H250B | 300Vin / 48Vout / 250Watts DC-DC Converter Module |
V300A48T150B | 300Vin / 48Vout / 150Watts DC-DC Converter Module |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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V29C51400T | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:4 MEGABIT 262,144 x 16 BIT/524,288 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY |
V29GB618 | 功能描述:電源排插 6’L 4 outlets 18" center distance RoHS:否 制造商:Wiremold 出口數(shù)量: 浪涌能量額定值: 數(shù)據(jù)線路保護:N 電線長度:15 ft 安裝風(fēng)格: 輸出電壓:120 V 電流額定值:15 A |
V29GL01GP11FAIR20 | 功能描述:IC MEMORY 1GB FLASH SMD 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-P 包裝:* 零件狀態(tài):Last Time Buy 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH - NOR 存儲容量:1G(128M x 8) 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) 封裝/外殼:* 供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
V29GL01GP11FFIR20 | 功能描述:IC MEMORY 1GB FLASH SMD 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-P 包裝:* 零件狀態(tài):Last Time Buy 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH - NOR 存儲容量:1G(128M x 8) 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) 封裝/外殼:* 供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
V29GL01GP11TAIR20 | 功能描述:IC MEMORY 1GB FLASH SMD 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-P 包裝:* 零件狀態(tài):Last Time Buy 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH - NOR 存儲容量:1G(128M x 8) 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) 封裝/外殼:* 供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |